[发明专利]支架结构、光传感器结构及制造光传感器结构的方法有效
申请号: | 201910044215.6 | 申请日: | 2019-01-17 |
公开(公告)号: | CN111463293B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 林贞秀;黄仕冲;陈柏智 | 申请(专利权)人: | 光宝光电(常州)有限公司;光宝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02;H01L25/04 |
代理公司: | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;冷文燕 |
地址: | 213123 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 支架 结构 传感器 制造 方法 | ||
1.一种光传感器的支架结构,其特征在于,包括:
一第一支架组,包括一第一固晶支架及一第一接线支架,所述第一固晶支架具有一第一固晶部、及一由所述第一固晶部沿纵长方向延伸的第一导电引脚,所述第一接线支架具有一第一接线部、及一由所述第一接线部沿纵长方向延伸的第一传导引脚;及
一第二支架组,包括一第二固晶支架及一第二接线支架,所述第二固晶支架具有一第二固晶部及一由所述第二固晶部沿纵长方向延伸的第二导电引脚,所述第二接线支架具有一第二接线部及一由所述第二接线部沿纵长方向延伸的第二传导引脚;
所述第一接线支架具有一第一凸部,所述第一凸部由所述第一接线部局部地朝向所述第二接线支架突出;所述第二接线支架具有一第二凸部,所述第二凸部由所述第二接线部局部地朝向所述第一接线支架突出;
其中所述第一固晶部靠近所述第一凸部的一角落形成一第一缺口,其中所述第二固晶部靠近所述第二凸部的一角落形成一第二缺口,且所述第一固晶部和所述第二固晶部位于同一水平面;
其中所述第一凸部、所述第二凸部、所述第一缺口、与所述第二缺口共同形成一开口状。
2.如权利要求1所述的光传感器的支架结构,其特征在于,其中所述第二固晶部具有四个角落,且各角落形成一个所述第二缺口,从而所述第二固晶部大致呈十字的形状;其中所述第一固晶部具有四个角落,且各角落形成一个所述第一缺口,所述第一固晶部具有平行于所述纵长方向的二纵向侧边,所述第一固晶部的每一所述纵向侧边形成一侧缺口,从而所述第一固晶部大致呈双十字的形状。
3.如权利要求1所述的光传感器的支架结构,其特征在于,所述第一固晶部具有一面对所述第一接线支架的截断侧边,所述第一固晶部的所述截断侧边形成有一第一切口;所述第二固晶部具有一面对所述第二接线支架的截断侧边,所述第二固晶部的所述截断侧边形成有一第二切口。
4.如权利要求1所述的光传感器的支架结构,其特征在于,所述第一接线支架呈L形;所述第二接线支架呈L形。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光传感器的支架结构,其特征在于,所述第一固晶支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽,所述第一固晶支架的所述沟槽位于所述第一固晶部与所述第一导电引脚之间,所述第一接线支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽,所述第一接线支架的所述沟槽位于所述第一接线部与所述第一传导引脚之间;所述第二固晶支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽,所述第二固晶支架的所述沟槽位于所述第二固晶部与所述第二导电引脚之间,所述第二接线支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽,所述第二接线支架的所述沟槽位于所述第二接线部与所述第二传导引脚之间。
6.如权利要求5所述的光传感器的支架结构,其特征在于,其中所述第一固晶支架还包括一第一贯穿孔,所述第一贯穿孔邻近所述第一固晶支架的所述沟槽;所述第二固晶支架还包括一第二贯穿孔,所述第二贯穿孔邻近所述第二固晶支架的所述沟槽。
7.如权利要求6所述的光传感器的支架结构,其特征在于,所述第一导电引脚及所述第一传导引脚各具有一弯折部,从而所述第一导电引脚及所述第一传导引脚各具有一连接部与所述第一固晶部不位于同一平面;所述第二导电引脚及所述第二传导引脚各具有一弯折部,从而所述第二导电引脚及所述第二传导引脚各具有一连接部与所述第二固晶部不位于同一平面。
8.如权利要求6所述的光传感器的支架结构,其特征在于,所述第一固晶部的顶面形成大致呈十字状的一第一凹沟,所述第二固晶部的顶面形成大致呈十字状的一第二凹沟。
9.如权利要求8所述的光传感器的支架结构,其特征在于,还包括一料带边框,所述料带边框连接于所述第一支架组与所述第二支架组,所述料带边框具有一固持凸块朝向所述第一支架组突出、及另一固持凸块朝向所述第二支架组突出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光宝光电(常州)有限公司;光宝科技股份有限公司,未经光宝光电(常州)有限公司;光宝科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910044215.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可靠度判断方法以及存储装置
- 下一篇:一种移动区块链抗量子计算机攻击签名方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的