[发明专利]一种曝光系统及光刻机有效

专利信息
申请号: 201910045459.6 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN111443575B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 湛宾洲;王彩红 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 曝光 系统 光刻
【权利要求书】:

1.一种曝光系统,其特征在于,包括:沿光轴依次排列的光源、耦合镜组、匀光组件、中继镜组和投影物镜;

所述曝光系统还包括能量传感器和至少一个能量探测器,所述能量传感器位于所述投影物镜的像面上;

所述匀光组件包括第一匀光单元和第二匀光单元,所述第一匀光单元位于所述耦合镜组与所述第二匀光单元之间,所述第一匀光单元与所述第二匀光单元沿光轴方向上存在空隙;所述能量探测器位于所述匀光组件一侧且朝向所述空隙处,所述能量探测器用于接收从所述空隙出射的光线,并对所述能量传感器进行标定。

2.根据权利要求1所述的曝光系统,其特征在于,所述曝光系统还包括与所述能量探测器一一对应设置的至少一个反射镜,所述反射镜位于所述匀光组件和与所述反射镜一一对应的所述能量探测器之间,所述反射镜用于将从所述空隙出射的光线反射到与所述反射镜一一对应的所述能量探测器上。

3.根据权利要求1所述的曝光系统,其特征在于,所述第一匀光单元与所述第二匀光单元之间的所述空隙的宽度大于等于0.05mm且小于等于0.2mm。

4.根据权利要求1所述的曝光系统,其特征在于,所述第一匀光单元关于第一匀光单元中心轴对称,所述第二匀光单元关于第二匀光单元中心轴对称,所述第一匀光单元中心轴与所述第二匀光单元中心轴共线;

所述第一匀光单元朝向所述能量探测器的一侧表面与所述能量探测器之间的垂直距离小于等于所述第二匀光单元朝向所述能量探测器的一侧表面与所述能量探测器之间的垂直距离。

5.根据权利要求4所述的曝光系统,其特征在于,所述能量探测器的数量为2-4个。

6.根据权利要求5所述的曝光系统,其特征在于,所述曝光系统包括两个所述能量探测器,分别为第一能量探测器和第二能量探测器;所述第一能量探测器和所述第二能量探测器分别位于所述第一匀光单元中心轴以及所述第二匀光单元中心轴相对的两侧。

7.根据权利要求5所述的曝光系统,其特征在于,所述曝光系统包括四个所述能量探测器,四个所述能量探测器均匀分布于所述第一匀光单元中心轴以及所述第二匀光单元中心轴的四周。

8.根据权利要求1所述的曝光系统,其特征在于,所述第一匀光单元关于第一匀光单元中心轴对称,所述第二匀光单元关于第二匀光单元中心轴对称,所述第一匀光单元中心轴与所述第二匀光单元中心轴平行,所述第一匀光单元中心轴与所述第二匀光单元中心轴之间的垂直距离大于0;

所述第一匀光单元朝向所述能量探测器的一侧表面与所述能量探测器之间的垂直距离小于等于所述第二匀光单元朝向所述能量探测器的一侧表面与所述能量探测器之间的垂直距离。

9.根据权利要求8所述的曝光系统,其特征在于,所述第一匀光单元包括平行于所述第一匀光单元中心轴且相对的第一侧面和第二侧面;所述第二匀光单元包括平行于所述第二匀光单元中心轴且相对的第三侧面和第四侧面;所述第一侧面和所述第三侧面位于所述第一匀光单元中心轴的同一侧;所述第二侧面和所述第四侧面位于所述第一匀光单元中心轴的同一侧;

所述第一侧面和所述第三侧面之间的垂直距离大于0,和/或,所述第二侧面和所述第四侧面之间的垂直距离大于0。

10.根据权利要求8所述的曝光系统,其特征在于,所述第一匀光单元中心轴与所述第二匀光单元中心轴之间的垂直距离大于等于0.1mm且小于等于0.3mm。

11.一种光刻机,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的曝光系统。

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