[发明专利]信号接收器电路有效

专利信息
申请号: 201910046871.X 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN110649934B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 金旼昶 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16;H04B1/12
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 信号 接收器 电路
【权利要求书】:

1.一种信号接收器电路,包括:

负电压施加器,其适用于响应于第一时钟处于第一逻辑电平而将负电压施加到公共源极节点;

第一采样晶体管,其耦接在所述公共源极节点与第一采样节点之间,以响应于第一输入信号而将电流从所述第一采样节点吸收到所述公共源极节点;

第二采样晶体管,其耦接在所述公共源极节点与第二采样节点之间,以响应于第二输入信号而将电流从所述第二采样节点吸收到所述公共源极节点;

均衡器,其适用于响应于所述第一时钟处于第二逻辑电平而使所述第一采样节点与所述第二采样节点均衡;

预充电器,其适用于响应于第二时钟处于所述第一逻辑电平而将第一输出节点和第二输出节点预充电到上拉电压,以及响应于所述第二时钟处于所述第二逻辑电平而将所述第一输出节点和第二输出节点分别电耦接到所述第二采样节点和所述第一采样节点;以及

放大器,其适用于响应于所述第二时钟处于所述第二逻辑电平而放大所述第一输出节点与所述第二输出节点之间的电压差,

其中,所述预充电器包括:

第一PMOS晶体管,其适用于响应于所述第二时钟而将所述第二输出节点初始化为所述上拉电压;

第二PMOS晶体管,其适用于响应于所述第二时钟而将所述第一输出节点初始化为所述上拉电压;

第六NMOS晶体管,其适用于响应于所述第二时钟而选择性地将所述第二输出节点与所述第一采样节点耦接;以及

第七NMOS晶体管,其适用于响应于所述第二时钟而选择性地将所述第一输出节点与所述第二采样节点彼此耦接。

2.如权利要求1所述的信号接收器电路,其中,所述第一采样晶体管和所述第二采样晶体管中的每个采样晶体管是NMOS晶体管。

3.如权利要求2所述的信号接收器电路,其中,通过将所述第一时钟反相并延迟来获得所述第二时钟。

4.如权利要求1所述的信号接收器电路,其中,所述负电压施加器包括:

第三NMOS晶体管,其适用于响应于所述第一时钟而将电流从所述公共源极节点吸收到接地端子;以及

第四NMOS晶体管,其具有接收所述第一时钟的栅极,以及与所述公共源极节点耦接的源极和漏极。

5.如权利要求1所述的信号接收器电路,其中,所述均衡器包括:

第五NMOS晶体管,其适用于响应于所述第一时钟而将所述第一采样节点与所述第二采样节点彼此电耦接。

6.如权利要求1所述的信号接收器电路,其中,所述放大器包括:

第一CMOS反相器耦接晶体管,其具有与所述第一输出节点耦接的输入端子以及与所述第二输出节点耦接的输出端子;

第二CMOS反相器耦接晶体管,其具有与所述第二输出节点耦接的输入端子以及与所述第一输出节点耦接的输出端子;以及

第八NMOS晶体管,其具有接收所述第二时钟的栅极、与接地端子耦接的源极、与所述第一CMOS反相器耦接晶体管和所述第二CMOS反相器耦接晶体管耦接的漏极。

7.一种信号接收器电路,包括:

负电压施加器,其适用于响应于第一时钟而将负电压或接地电压施加到公共源极节点;

第一采样NMOS晶体管,其耦接在所述公共源极节点与第一采样节点之间,以响应于第一输入信号而将电流从所述第一采样节点吸收到所述公共源极节点;

第二采样NMOS晶体管,其耦接在所述公共源极节点与第二采样节点之间,以响应于第二输入信号而将电流从所述第二采样节点吸收到所述公共源极节点;

均衡器,其适用于响应于所述第一时钟而使所述第一采样节点与所述第二采样节点均衡;

第一预充电PMOS晶体管,其具有接收第二时钟的栅极、与上拉电压端子耦接的源极以及与第一输出节点耦接的漏极;

第二预充电PMOS晶体管,其具有接收所述第二时钟的栅极、与所述上拉电压端子耦接的源极以及与第二输出节点耦接的漏极;

第一阻断NMOS晶体管,其具有接收所述第二时钟的栅极、与所述第一采样节点耦接的源极以及与所述第二输出节点耦接的漏极;

第二阻断NMOS晶体管,其具有接收所述第二时钟的栅极、与所述第二采样节点耦接的源极以及与所述第一输出节点耦接的漏极;以及

放大器,其适用于响应于所述第二时钟而放大所述第一输出节点与所述第二输出节点之间的电压差,

其中,所述第二时钟是所述第一时钟的经反相并延迟后的时钟。

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