[发明专利]一种平面结构的VCSEL芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一表面上的第一半导体多层膜反射镜；

位于所述第一半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的有源层；

位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体多层膜反射镜，其中，所述第二半导体多层膜反射镜包括有一限制层，所述限制层划分有至少一个导电区，所述限制层在所述导电区为导电结构层，且所述限制层在其余部分区为氧化结构层；

位于所述第二半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的欧姆接触层，其中，在所述欧姆接触层一侧，环绕所述导电区设置有多个主氧化孔，且位于所述多个主氧化孔环绕区域外设置有至少一个辅助氧化孔，所述主氧化孔和所述辅助氧化孔均裸露所述限制层；

位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧的保护层，其中，所述保护层覆盖所述欧姆接触层背离所述衬底一侧表面，及所述保护层覆盖所述主氧化孔和所述辅助氧化孔的侧壁和底面，且所述保护层对应所述导电区处为镂空；

以及，位于所述衬底背离所述第一半导体多层膜反射镜一侧的背面电极，及位于所述保护层背离所述衬底一侧的正面电极，所述正面电极与所述欧姆接触层电连接，且所述正面电极对应所述导电区处为镂空。

2.根据权利要求1所述的平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述主氧化孔和所述辅助氧化孔均延伸至所述限制层内预设厚度。

3.根据权利要求1所述的平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述主氧化孔和所述辅助氧化孔均透过所述限制层。

4.根据权利要求1所述的平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述保护层对应所述导电区处的镂空的尺寸大于所述正面电极对应所述导电区处的镂空的尺寸、且呈环形区域；

其中，所述正面电极在所述环形区域与所述欧姆接触层相接触而实现电连接。

5.根据权利要求1所述的平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半导体多层膜反射镜为N型多层膜反射镜；

及，所述第二半导体多层膜反射镜为P型多层膜反射镜。

6.根据权利要求1所述的平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半导体多层膜反射镜和所述第二半导体多层膜反射镜均为分布式布拉格反射镜。

7.根据权利要求1所述的平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述平面结构的VCSEL芯片包括多个导电区，且所述多个导电区为第一导电区至第N导电区，N为不小于2的整数。

8.根据权利要求7所述的平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，至少一对相邻所述导电区之间设置有一所述辅助氧化孔。

9.一种平面结构的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次叠加生长第一半导体多层膜反射镜、有源层、第二半导体多层膜反射镜和欧姆接触层，其中，所述第二半导体多层膜反射镜包括有一限制层；

在所述欧姆接触层一侧，且在至少一处刻蚀呈环形分布的多个主氧化孔，且位于所述多个主氧化孔的环绕区域外形成至少一个辅助氧化孔，所述主氧化孔和所述辅助氧化孔均裸露所述限制层；

通过所述主氧化孔和所述辅助氧化孔对所述限制层进行氧化处理，使所述限制层在所述多个主氧化孔的环绕区域内的导电区未被氧化为导电结构层，且所述限制层在其余部分区被氧化为氧化结构层；

在所述欧姆接触层背离所述衬底一侧生长保护层，其中，所述保护层覆盖所述欧姆接触层背离所述衬底一侧表面，及所述保护层覆盖所述主氧化孔和所述辅助氧化孔的侧壁和底面，且所述保护层对应所述导电区处为镂空；

在所述衬底背离所述第一半导体多层膜反射镜一侧形成背面电极，及位于所述保护层背离所述衬底一侧形成正面电极，所述正面电极与所述欧姆接触层电连接，且所述正面电极对应所述导电区处为镂空。

10.根据权利要求9所述的平面结构的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，通过所述主氧化孔和所述辅助氧化孔对所述限制层进行氧化处理，包括：

采用湿法氧化工艺，通过所述主氧化孔和所述辅助氧化孔对所述限制层进行氧化处理。