[发明专利]一种提高晶圆探针台利用率的方法有效
申请号: | 201910047407.2 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN111463141B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 郭海涛;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/00 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 探针 利用率 方法 | ||
1.一种提高晶圆探针台利用率的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一晶圆,包括晶圆正面及晶圆背面,对所述晶圆进行背面研磨减薄处理及背金处理;
在所述晶圆背面的至少部分区域贴附金属贴片,所述金属贴片的中心与所述晶圆的中心重合;其中,贴附所述金属贴片后,所述晶圆背面整体呈现平面式;
将贴附有所述金属贴片的所述晶圆放置到所述晶圆探针台上进行测试,所述晶圆探针台放置所述晶圆的一面为平整表面;
对贴附有所述金属贴片的所述晶圆进行背面研磨减薄;
将贴附有所述金属贴片的所述晶圆进行切割并封装。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属贴片包括圆盘形金属贴片,所述金属贴片选自金、银和铜片中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述晶圆背面进行研磨减薄处理,减薄处理后所述晶圆背面的中间区域形成厚度小于外围边缘厚度的凹陷区;在所述凹陷区的表面贴附所述金属贴片,所述金属贴片的形状、尺寸与所述凹陷区的形状、尺寸吻合。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述晶圆背面进行研磨减薄,减薄处理后所述晶圆背面呈现平面式,在所述晶圆背面贴附所述金属贴片。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属贴片的直径介于190mm~290mm或200mm~300mm,所述金属贴片的厚度介于0.3mm~0.8mm。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述晶圆进行切割并封装包括:
将所述晶圆连同其背面的金属贴片一起切割,形成单独的晶粒,然后进行封装;或者
以多晶粒组合的形式对所述晶圆及贴附在所述晶圆背面的所述金属贴片进行切割,其中所述金属贴片不完全切穿,并且所述多晶粒组合以功率模组的形式进行封装。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法,其特征在于,在所述晶圆背面的至少部分区域贴附金属贴片的步骤包括:
在所述晶圆背面的至少部分区域涂覆锡膏层;
在所述锡膏上贴附所述金属贴片;
加热所述晶圆、锡膏层及所述金属贴片,所述金属贴片通过锡膏层与所述晶圆粘合在一起。
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