[发明专利]一种Ni-Fe-S纳米片花的制备方法在审
申请号: | 201910047473.X | 申请日: | 2019-01-17 |
公开(公告)号: | CN109821554A | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 郝秋艳;李士云;刘辉 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | B01J27/043 | 分类号: | B01J27/043;C25B11/06;C25B1/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300401 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米片 三口瓶 制备 混合溶剂 浸入 醇和巯基 加热装置 实验原料 制备工艺 过电势 泡沫镍 体积比 乙醇 加热 保温 冷却 溶解 消耗 | ||
一种Ni‑Fe‑S纳米片花的制备方法。该方法包括以下步骤:将三乙二醇和巯基乙醇按体积比5∶1溶解得到混合溶剂,然后将混合溶剂转移到三口瓶中,随后将1*3cm2的泡沫镍铁浸入到三口瓶中,随后加热三口瓶直至180℃,保温15min,然后关掉加热装置,使三口瓶冷却到室温,得到Ni‑Fe‑S纳米片花。本发明首次采用混合升温的方法制备出了Ni‑Fe‑S纳米片花,极大的简化了Ni‑Fe‑S纳米片花的制备工艺,大大的降低了实验原料的消耗,并且在电流密度是10mA/cm2时,它的OER过电势是220mV。
技术领域
本发明涉及催化剂制备技术领域,具体为一种Ni-Fe-S纳米片花的制备方法。
背景技术
能源和环境是制约人类社会发展的两大突出问题。能源是人类赖以生存的基础,是社会发展和文明进步的推动力。随着社会的不断进步,人们对能源的需求也越来越强烈。当前的能源使用结构中,传统化石燃料仍占了绝大部分,包括煤炭、石油、天然气等。作为不可再生能源,化石燃料的过度使用不仅造成能源的日益紧缺,还会带来巨大的环境破坏。开发安全、高效、可持续的清洁能源是解决能源和环境问题的关键。氢能作为一种清洁、无污染的二次能源,具有很高的质量能量密度,是实现能源战略的一个理想选择。
目前来说电解水制氢是最有前景的一个途径,但是在电解水制氢过程中,电解水成本高的问题一直阻碍其发展。电催化剂的使用成为最有效降低电解水制氢成本的应对策略。然而电催化性能最佳的贵金属催化剂储量有限,其广泛应用受到限制。Ni-Fe-S因其具有低成本、良好的稳定性、高导电性以及本征活性高等优点而备受人们关注,Ni-Fe-S的相关研究也层出不穷。
2017年许安武课题组,利用化学气相沉积的方法制备出了Ni-Fe-S纳米片,在10mA/cm2时的OER过电势为265mV;2017年张强课题组利用二次水热的方法制备出了Ni-Fe-S纳米片阵列,在10mA/cm2时的OER过电势为286mV;2018年曹菲菲课题组也利用二次硫化的方法制备出Ni-Fe-S微米球,在10mA/cm2时的OER过电势为270mV。但目前报道中,Ni-Fe-S的制备方法存在严重耗能、高温、高压、电催化性能不佳等缺点,会引起电极过电势的增加,欧姆压降和电极过电势的增加,会导致电能效率的降低,现有技术的制备工艺有待改善。
发明内容
本发明的目的在于针对当前技术中存在的水热法、化学气相沉积法高压高温,耗时长,原料消耗严重的缺点,提供了一种Ni-Fe-S的制备方法。本发明采用三乙二醇和巯基乙醇混合溶剂作为液相硫源,利用混合升温的方法制备出Ni-Fe-S纳米片花,并且表现出了优异的电催化性能。本发明工艺简易,低成本,并且重复率以及材料利用率都很高,而且还可以批量制备,是一个很好的Ni-Fe-S纳米片花的制备工艺。
本发明的技术方案为:
一种Ni-Fe-S纳米片花的制备方法,包括以下步骤:
(1)制备混合溶剂
将三乙二醇和巯基乙醇按体积比5∶1溶解成混合溶剂,随后将溶剂转移到三口瓶中。
(2)制备泡沫镍铁负载Ni-Fe-S纳米片花
将1*3cm2的泡沫镍铁浸入到步骤(1)中配好的混合溶剂中,随后加热三口瓶直至180℃,保温15min,然后关掉加热装置,使三口瓶冷却到室温,得到Ni-Fe-S纳米片花。
所述的三乙二醇和巯基乙醇的纯度均为99%。
所述的泡沫镍铁的纯度为95%(铁镍的比例为3∶7),密度为0.58g/cm3,孔隙率为95%,厚度为0.8~2.5mm。
本发明的有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910047473.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。