[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201910047497.5 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN110554836A 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 徐贤;高贵汉;金真怜;朴一汉;任琫淳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C16/08
代理公司: 11330 北京市立方律师事务所 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 串选择线 字线 空块 子块 非易失性存储器件 编程 编程数据 第一数据
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器件,所述非易失性存储器件包括:

第一子块,所述第一子块由第一串选择线和第一字线限定,所述第一子块被配置为在其中存储第一数据;

第二子块,所述第二子块由第二串选择线和第二字线限定,所述第二串选择线和所述第二字线分别与所述第一串选择线和所述第一字线不同,所述第二子块被配置为在其中存储第二数据;

第一空块,所述第一空块由所述第一串选择线和所述第二字线限定;以及

第二空块,所述第二空块由所述第二串选择线和所述第一字线限定,

其中,所述第一空块和所述第二空块均被配置为不在其中存储数据。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,所述非易失性存储器件被配置为将所述第一空块和所述第二空块保持在擦除状态。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,所述非易失性存储器件被配置为将所述第一空块和所述第二空块保持在未擦除状态。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,

所述第一串选择线和所述第二串选择线均包括一条或更多条串选择线,以及

所述第一字线和所述第二字线均包括一条或更多条字线。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,所述非易失性存储器件还包括:

空字线,所述空字线在所述第一子块和所述第二子块之间。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件,其中,所述空字线包括一条或更多条字线。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,所述非易失性存储器件被配置为独立地整体擦除在所述第一子块中编程的所述第一数据和整体擦除在所述第二子块中编程的所述第二数据。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,所述第一子块和所述第二子块被包括在单个存储块中。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,

所述第一数据包括第一类型的元数据,以及

所述第二数据包括第二类型的元数据,所述第二类型不同于所述第一类型。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,所述非易失性存储器件还包括:

第三子块,所述第三子块由第三串选择线和第三字线限定,所述第三串选择线和所述第三字线分别不同于所述第一串选择线和所述第一字线,其中,

所述非易失性存储器件被配置为当在所述第一子块中存在缺陷时在所述第三子块中编程所述第一数据。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器件,其中,所述非易失性存储器件被配置为当在所述第一子块中存在所述缺陷时,将由限定所述第一子块的所述第一字线中的字线选通的存储单元保持在擦除状态。

12.一种非易失性存储器件,所述非易失性存储器件包括:

控制逻辑,所述控制逻辑控制所述非易失性存储器件的地址译码器和读取/写入逻辑;以及

单元阵列,所述单元阵列包括多个存储块,

所述控制逻辑被配置为:

在所述多个存储块中的一个存储块中限定的第一子块中编程第一数据,以及

在所述一个存储块中限定的第二子块中编程第二数据,使得所述第二子块不与所述第一子块共享第一串选择线和第一字线。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器件,其中,所述一个存储块还包括:

在所述一个存储块中限定的第一空块,使得所述第一空块与所述第一子块共享所述第一字线,并且不与所述第一子块共享所述第一串选择线;以及

在所述一个存储块中限定的第二空块,使得所述第二空块与所述第二子块共享第二字线,并且不与所述第二子块共享第二串选择线。

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