[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述多量子阱层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述电子阻挡层为AlGaN层，其特征在于，

所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第二量子垒层为所述多量子阱层中最靠近所述电子阻挡层的一个量子垒层，所述第一量子垒层为除所述第二量子垒层之外的量子垒层，所述第一量子垒层为GaN层，所述第二量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为GaN层，所述第一子层与所述量子阱层接触，所述第二子层和所述第三子层均包括交替生长的InGaN层和AlGaN层，所述第三子层中掺有Mg，所述第三子层中的InGaN层与所述电子阻挡层接触；

所述第一子层的厚度为0.5～1.5nm，所述第二子层的厚度为2～6nm，所述第三子层的厚度为3～7nm。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中的InGaN层和所述第二子层中的AlGaN层的厚度相等。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层包括m层InGaN层和m层AlGaN层，m为大于0的正整数。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层中的InGaN层和所述第三子层中的AlGaN层的厚度相等。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层包括n+1层InGaN层和n层AlGaN层，n为大于0的正整数。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层中的Mg的掺杂浓度为1×10⁶～1×10⁷cm^-3。

7.一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层；

其中，所述电子阻挡层为AlGaN层，所述多量子阱层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第二量子垒层为所述多量子阱层中最靠近所述电子阻挡层的一个量子垒层，所述第一量子垒层为除所述第二量子垒层之外的量子垒层，所述第一量子垒层为GaN层，所述第二量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为GaN层，所述第一子层与所述量子阱层接触，所述第二子层和所述第三子层均包括交替生长的InGaN层和AlGaN层，所述第三子层中掺有Mg，所述第三子层中的InGaN层与所述电子阻挡层接触；

所述第一子层的厚度为0.5～1.5nm，所述第二子层的厚度为2～6nm，所述第三子层的厚度为3～7nm。