[发明专利]记忆体电路

权利要求书

1.一种记忆体电路，其特征在于，包含：

多条字符线；

多条位线，所述多条位线与所述多条字符线交叉排列形成一记忆体阵列；多个控制开关，分别设置于所述多条位线与所述多条字符线交叉处，所述多个控制开关每一者，包含：一栅极端，耦接于相应的字符线；一漏极端，耦接于相应的位线；以及一源极端；

一绝缘结构，覆盖该些控制开关的上方及周围；

多个记忆单元层，其设置于该绝缘结构上方且呈垂直堆叠，所述多个记忆单元层每一者各自包含：

一导电底板，与该控制开关的该源极之间以一源极接触孔电性连接；多个二极管，其位于该导电底板上，所述多个二极管每一者的一第一端耦接于相应的控制开关的源极端；多个记忆单元，其分别位于所述多个二极管上，与所述多个二极管一一对应连接，所述多个记忆单元每一者的一第一端耦接于相应的二极管的一第二端，所述多个记忆单元每一者的一第二端，耦接于一相应的选择开关的一第一端；多个导电层，与该导电底板成垂直排列，一对一对应位设置于所述多个记忆单元上；

多个选择线，其中所述选择开关的一控制端耦接至相应的选择线用以接收一选择信号以决定所述选择开关是否导通，所述选择开关的一第二端耦接于一接地端；以及

一金属层结构，与该控制开关的该漏极之间以一漏极接触孔电性连接。

2.根据权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，所述记忆单元为电阻式记忆体或相变化记忆体。

3.根据权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，该金属层结构，位于所述多个记忆单元层上方。

4.根据权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，该金属层结构，设置于所述多个记忆单元层下方的该绝缘结构中。

5.根据权利要求4所述的记忆体电路，其特征在于，该金属层结构包含：

一第一金属层，俯视呈长方形状，该第一金属层的一第一端与该漏极接触孔连接；

一第二金属层，俯视呈长条状且与该第一金属层垂直，该第二金属层设置于该第一金属层上，且与该第一金属层的一第二端连接。

6.根据权利要求5所述的记忆体电路，其特征在于，所述多个二极管每一者分别包含：

一N型半导体层，位于该底板上；

一P型半导体层，位于该N型半导体层上，与相应的记忆单元层接触。

7.根据权利要求6所述的记忆体电路，其特征在于，该控制开关包含一场效晶体管或一鳍状场效晶体管。