[发明专利]双向TVS二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种双向TVS二极管，其特征在于，所述双向TVS二极管包括：

衬底；

位于所述衬底上的N型半导体层，所述N型半导体层包括位于衬底上的第一N型半导体层及位于第一N型半导体层上的第二N型半导体层，所述第一N型半导体层和第二N型半导体层为n+掺杂，第一N型半导体层的掺杂浓度高于第二N型半导体层的掺杂浓度；

位于N型半导体层中的P型注入区，所述P型注入区包括形成于第一N型半导体层中的第一P型注入区及形成于第二N型半导体层中且贯穿第二N型半导体层的第二P型注入区，所述第二P型注入区中的p+离子注入浓度大于第一P型注入区中的p+离子注入浓度；

电极，包括位于所述第二P型注入区上的第一电极及贯穿衬底设置的第二电极；

钝化层，包括位于第二N型半导体层上方的第一钝化层及位于衬底下方的第二钝化层，所述第一电极贯穿第一钝化层设置，第二电极贯穿第二钝化层设置。

2.根据权利要求1所述的双向TVS二极管，其特征在于，所述第一N型半导体层的掺杂浓度为5E15cm^-3～9E16cm^-3，第二N型半导体层的掺杂浓度为5E14cm^-3～9E15cm^-3。

3.根据权利要求2所述的双向TVS二极管，其特征在于，所述第一N型半导体层厚度为第二N型半导体层厚度的1～10倍。

4.根据权利要求1所述的双向TVS二极管，其特征在于，所述第一P型注入区的p+离子注入浓度为5E15cm^-3～9E16cm^-3，所述第二P型注入区的p+离子注入浓度为5E14cm^-3～9E15cm^-3。

5.根据权利要求4所述的双向TVS二极管，其特征在于，所述第二P型注入区深度为第一P型注入区深度的1～5倍。

6.根据权利要求4所述的双向TVS二极管，其特征在于，所述第一P型注入区的宽度大于第二P型注入区的宽度。

7.一种双向TVS二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底；

在衬底上外延生长n+掺杂的第一N型半导体层，并在第一N型半导体层上通过p+离子注入形成第一P型注入区；

在第一N型半导体层上外延生长n+掺杂的第二N型半导体层，并在第二N型半导体层上通过p+离子注入形成第二P型注入区；

在第二N型半导体层上方和衬底下方分别外延生长第一钝化层和第二钝化层；

通过光刻工艺，分别形成位于所述第二P型注入区上的第一电极及贯穿衬底设置的第二电极；

其中，所述第一N型半导体层的掺杂浓度高于第二N型半导体层的掺杂浓度，所述第二P型注入区中的p+离子注入浓度大于第一P型注入区中的p+离子注入浓度。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一N型半导体层的掺杂浓度为5E15cm^-3～9E16cm^-3，第二N型半导体层的掺杂浓度为5E14cm^-3～9E15cm^-3。

9.根据权利要求7所述的双向TVS二极管，其特征在于，所述第一P型注入区的p+离子注入浓度为5E15cm^-3～9E16cm^-3，所述第二P型注入区的p+离子注入浓度为5E14cm^-3～9E15cm^-3。