[发明专利]太阳能电池在审
申请号: | 201910048481.6 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN110112295A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 松井太佑;根上卓之;关口隆史 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 王磊;徐健 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体层 电极 太阳能电池 光吸收层 三甲基苯基 钙钛矿 苯基 转换效率 摩尔比 | ||
本公开提供一种具有高的转换效率、并且具有高的耐久性的钙钛矿太阳能电池。本公开的太阳能电池,具备第1电极、第2电极、位于第1电极与第2电极之间的钙钛矿光吸收层、位于第1电极与光吸收层之间的第1半导体层、以及位于第2电极与光吸收层之间的第2半导体层。第1半导体层含有Li。第2半导体层含有LiN(SO2CF3)2。第2半导体层含有聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]。在第2半导体层中,LiN(SO2CF3)2相对于聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]的摩尔比为0.15以上且0.26以下。
技术领域
本公开涉及太阳能电池。本公开特别涉及使用钙钛矿型晶体作为光吸收材料的太阳能电池。
背景技术
近年来,一直进行着钙钛矿太阳能电池的研究开发。钙钛矿太阳能电池中,作为光吸收材料,使用由AMX3(A是一价阳离子,M是二价阳离子,X是卤素阴离子)表示的钙钛矿型晶体以及与其类似的结构体(以下称为“钙钛矿化合物”)。
非专利文献1公开了使用由CH3NH3PbI3(以下有时简称为“MAPbI3”)表示的钙钛矿化合物作为光吸收材料、使用TiO2作为电子传输材料、使用PTAA作为空穴传输材料的太阳能电池。
在先技术文献
非专利文献1:Dongqin Bi et.al.,HIGH-EFFICIENT SOLID-STATE PEROVSKITESOLAR CELL WITHOUT LITHIUM SALTIN THE HOLE TRANSPORT MATERIAL,NANO,BriefReports and Reviews Vol.9,No.5(2014)1440001(7pages)
非专利文献2:Woon Seok Yang et.al.,High-performance photovoltaicperovskite layers fabricated through intramolecular exchangeScience,12Jun2015,Vol.348,Issue 6240,pp.1234-1237
发明内容
发明要解决的课题
本公开的目的是提供一种具有高的转换效率、并且具有高的耐久性的钙钛矿太阳能电池。
用于解决课题的手段
本公开提供一种太阳能电池,其具备第1电极、第2电极、位于所述第1电极与所述第2电极之间的光吸收层、位于所述第1电极与所述光吸收层之间的第1半导体层、以及位于所述第2电极与所述光吸收层之间的第2半导体层,
其中,
选自所述第1电极和所述第2电极之中的至少一个电极具有透光性,
所述光吸收层含有由组成式AMX3表示的钙钛矿化合物,
A表示一价阳离子,
M表示二价阳离子,并且
X表示卤素阴离子,
所述第1半导体层含有Li,
所述第2半导体层含有LiN(SO2CF3)2,
所述第2半导体层含有聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺],并且
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