[发明专利]一种高效低成本N型背结PERT双面电池的制造方法

权利要求书

1.一种高效低成本N型背结PERT双面电池的制造方法，其特征在于：所述制造方法具体步骤如下：

(1)抛光刻蚀

采用N型硅片，硅片厚度为120-250um，电阻率范围为0.5-10ohm.cm；采用TMAH溶液对N型硅片进行抛光；其中，TMAH溶液的体积浓度为15-25％，溶液温度为50-80℃，抛光刻蚀时间为200-400s，抛光刻蚀重量为0.4-1.0g，所形成的硅(100)晶面方块大小为20-30um；

(2)硼扩散

所用硼源为BBr₃，通过N₂作为载气通入炉中；扩散时先通入大流量氧气在硅表面形成氧化阻挡层，然后通过分段通源+推进的方式进行扩散掺杂；最后一步通源后进行高温推进；

分段通源+推进的方式进行扩散掺杂的具体方法为：沉积过程分为3次通源推进，首先在810-820℃通硼源5min，关闭硼源，N₂气氛下推进10min；然后升高到830-840℃通硼源5min，关闭硼源，N₂气氛下推进10min；再升高到850-860℃通硼源5min，关闭硼源，N₂气氛下推进10min；高温推进为：温度升到920℃，N₂气氛下保温推进15min；

硼扩散后方阻为80-120ohm/sq，扩散浓度为2E19-7E19cm^-3，掺杂深度为0.8-1.0um，BSG厚度为50-60nm；

(3)背面氮化硅镀膜

使用PECVD设备进行背面氮化硅镀膜，氮化硅的膜厚范围为30-50nm，该氮化硅折射率为2.0-2.2；

(4)制绒

使用TMAH溶液进行制绒，在制绒之前先将电池在体积浓度0.5％的HF溶液中刻蚀300-700s，然后进行制绒，形成3-6um大小的金字塔结构；其中，TMAH溶液的体积浓度为5％-10％，溶液温度为50-80℃，制绒时间为10-15min，制绒减重为0.2-0.4g；

(5)磷扩散

所用P源为POCl₃，通过氮气携带进入炉管，扩散时先通入大流量氧气在硅表面形成氧化阻挡层，然后通过两步磷源沉积；

扩散时先在700-800℃温度下通入2-5L/min氧气在硅表面形成氧化阻挡层，然后进行两步磷源沉积，第一步沉积温度为730-750℃，时间为10-15min，第二步沉积温度为760-780℃，时间为10-15min；

磷扩散后PSG厚度为10-20nm，表面浓度为8E19-2E20cm^-3，结深为0.2-0.4um，扩散方阻为90-200ohm/sq；

(6)正面氮化硅镀膜

使用PECVD设备进行正面氮化硅镀膜，氮化硅的膜厚范围为60-70nm，该层氮化硅折射率为2.0-2.2；

(7)丝网印刷

正面采用浆料型号为9642B或9641H的银浆；背面采用浆料型号为06E2-B或TB-07EY的铝浆；背面设计为印刷铝线，以实现双面电池设计，印刷烘干后，电池进入带式烧结炉共烧，形成最终成品电池；

丝网印刷所用铝浆为烧穿型铝浆；印刷铝线金属化比例为4-10％；烘干温度为200-300℃，烘干时间为10-40s；烧结峰值温度为760-830℃，烧结峰值时间为1-2s。

2.如权利要求1所述的高效低成本N型背结PERT双面电池的制造方法，其特征在于：步骤(2)中所述硼扩散：扩散时先通入2-5L/min氧气，温度为780-850℃，在硅表面形成氧化阻挡层，氧化阻挡层厚度为8-10nm。