[发明专利]一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、减薄制绒：将多晶硅基片置入HF、H₂O₂和添加剂的混合溶液中，在18℃～25℃温度下，浸泡2000s～2300s，将多晶硅基片减薄至90-120μm厚度；其中，添加剂为硝酸银、硝酸铜、硝酸钯和氯化铜中的一种或多种；HF、H₂O₂和添加剂三者的体积比为：3~4.5：2~3：1；HF的质量分数为30%-50%，H₂O₂的质量分数为20%-40%，添加剂中任一物质的摩尔浓度为0.00001～2mol/L；

b、扩散制结：采用3%～6%的磷酸溶液，在室温下对减薄后的多晶硅基片进行雾化沉积，之后在810℃～880℃温度下，将沉积后的多晶硅基片置于陶瓷辊式扩散炉中的辊轮上，保持15min～35min；

c、采用硝酸、氢氟酸和硫酸的混合溶液对多晶硅基片背面和边缘进行湿法刻蚀；

d、采用5%～15%的HF溶液去除多晶硅基片在扩散过程中所形成的磷硅玻璃；

e、采用ALD工艺在多晶硅基片的正面生长TiO₂功能层，背面生长NiO₂功能层；或者其正、背面均生长SiO₂功能层；

f、采用等离子体化学气相沉积法在多晶硅基片的正面和背面分别镀SiN_X减反层；其正面SiN_X减反层的厚度为70nm-90nm，背面SiN_X减反层的厚度为120nm-150nm；

g、采用丝网印刷工艺先在多晶硅基片的背面印刷银浆作为背电极，烘干后在正面印刷银浆作为前电极，在910℃～940℃温度下、带速250-270inch/min下烧结至正面和背面均形成插指状的电极。

2.根据权利要求1所述的超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征是，步骤a中，将多晶硅基片置入HF、H₂O₂和硝酸银的混合溶液中，在22℃温度下浸泡2300s；HF、H₂O₂和硝酸银三者的体积比为3.5：2.2：1；HF的质量分数为40%，H₂O₂的质量分数为30%，硝酸银的摩尔浓度为1mol/L。

3.根据权利要求1所述的超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤b中，采用5%的磷酸溶液，在室温下对减薄后的多晶硅基片进行雾化沉积，之后在850℃温度下，将沉积后的多晶硅基片置于陶瓷辊式扩散炉中的辊轮上，保持15min。

4.根据权利要求1所述的超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤d中使多晶硅基片在5%～15%的HF溶液中浸泡1-3min。