[发明专利]背电极、太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910048917.1 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN109888027A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 赵树利;杨立红;郭逦达 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陈超 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 非金属层 光刻胶层 背电极 绝缘层 刻划 太阳能电池 背电极层 清洗工艺 基板 激光 绝缘介质填充 发电效率 光刻技术 基板制备 间隔布置 对基板 发电区 刻划线 死区 损伤 分割 贯穿 替代 | ||
1.一种太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S11、在基板(1)上制备光刻胶层(2),并在所述光刻胶层(2)上制备多条贯穿所述光刻胶层(2)厚度、且间隔布置的第一刻划区;
S12、在所述基板(1)和所述光刻胶层(2)的表面上制备绝缘层(3);
S13、在所述绝缘层(3)上制备非金属层(4);
S14、采用清洗工艺将所述光刻胶层(2)以及其上的所述绝缘层(3)和所述非金属层(4)除去;
S15、在所述基板(1)和所述非金属层(4)上制备背电极层(5);
S16、采用清洗工艺将所述非金属层(4)以及所述非金属层(4)上的所述背电极层(5)除去,形成由所述第一刻划区内的所述绝缘层(3)分隔开的多个背电极。
2.如权利要求1所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:所述在光刻胶层(2)上制备多条贯穿所述光刻胶层(2)厚度、且间隔布置的第一刻划区步骤包括:
S111、在所述光刻胶层(2)上设置具有多条缝的掩膜板;
S112、采用曝光、显影的方式形成第一刻划区。
3.如权利要求1所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:其特征在于:采用真空磁控溅射法、喷涂或者旋涂制备所述绝缘层(3)。
4.如权利要求1所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:所述背电极层(5)的厚度与所述绝缘层(3)的厚度相同。
5.如权利要求4所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:所述背电极层(5)和所述绝缘层(3)的厚度为300~500nm。
6.一种太阳能电池背电极,其特征在于,采用如权利要求1至5任一项所述太阳能电池背电极的制备方法制备而成。
7.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,
S21、采用如权利要求1至3任一项所述的方法制备太阳能背电极;
S22、在所述背电极上制备吸收层(6);
S23、在所述吸收层(6)上制备硫化镉层(7);
S24、在所述吸收层(6)和所述硫化镉层(7)上进行刻划形成第二刻划区,将所述第二刻划区所在区域的所述吸收层(6)和所述硫化镉层(7)除去,所述第二刻划区平行于所述第一刻划区;
S25、在所述硫化镉层(7)、所述绝缘层(3)和所述背电极层(5)上制备前电极层(8);
S26、在所述吸收层(6)、所述硫化镉层(7)和所述前电极层(8)上进行刻划形成第三刻划区,将所述第三刻划区所在区域的所述吸收层(6)、所述硫化镉层(7)和所述前电极层(8)除去,所述第三刻划区平行于所述第一刻划区。
8.如权利要求7所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:采用共蒸发法、溅射硒化法或者喷涂工艺来制备所述吸收层(6)。
9.如权利要求7所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:采用激光或机械刻划加工所述第二刻划区和/或所述第三刻划区。
10.一种太阳能电池,其特征在于,采用如权利要求7至9任一项所述太阳能电池的制备方法制备而成。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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