[发明专利]一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件及脉冲光纤激光器

权利要求书

1.一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，包括偏振控制器与可饱和吸收体装置；

所述可饱和吸收体装置包括壳体以及设在壳体上的输入光纤与输出光纤，所述输入光纤与偏振控制器的输出端相连；

所述输入光纤与输出光纤在壳体内通过可饱和吸收组件相连，所述可饱和吸收组件上设有可饱和吸收体，所述可饱和吸收体由黑砷磷制成。

2.根据权利要求1所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，所述可饱和吸收组件包括位于壳体内的第一连接光纤与第二连接光纤，所述可饱和吸收体为夹持在第一连接光纤的尾端与第二连接光纤的首端之间的黑砷磷薄膜，所述第一连接光纤的首端与输入光纤相接，所述第二连接光纤的尾端与输出光纤相接。

3.根据权利要求2所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，所述黑砷磷薄膜的制备过程具体包括：

S1、将砷磷混合物、锡粉与四碘化锡以质量比例10～60:1～3:0.5～1进行配料，将配料真空封装在低压的石英管中；

S2、将封好的石英玻璃管水平放置在加热炉的加热区，加热加热炉并在加热后保持炉温2～3h；

S3、在7～8h内将炉温冷却至450～550℃以完成对加热炉的第一次冷却，并在第一次冷却后保持炉温3～4h；

S4、在3～4h内将炉温冷却室温以完成对加热炉的第二次冷却，第二次冷却后在石英管的冷端得到黑砷磷晶体；

S5、将所得到的黑砷磷晶体进行电解，获得液态二维的黑砷磷薄膜；

S6、对液态二维的黑砷磷薄膜进行抽滤，获得固态二维的黑砷磷薄膜。

4.根据权利要求3所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，步骤S1中，所述砷磷混合物中的砷为纯度在99.99％以上的灰砷，所述砷磷混合物中的磷为纯度在99.99％以上的红磷晶体。

5.根据权利要求3所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，步骤S1中，将配料真空封装在低压的石英管时控制石英管中配料的含量为15～30mg/cm³。

6.根据权利要求3所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，步骤S1中，所述将配料真空封装在低压的石英管中具体为：

利用分子泵机组和氢氧火焰将配料真空封装在5×10^-3～15×10^-3pa的石英管中。

7.据权利要求3所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，步骤S3中，所述加热加热炉具体为：

以3～5℃/min的速度加热加热炉到700℃～800℃。

8.一种脉冲光纤激光器，其特征在于，包括泵浦源、波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、第一光纤耦合器和第二光纤耦合器以及权利要求1至7任一项所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件；

所述波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的偏振控制器、基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的可饱和吸收体装置、第一光纤耦合器通过光纤依次相连，所述泵浦源以及第一光纤耦合器的一个输出端均与波分复用器的输入端相接，所述第一光纤耦合器的另一个输出端与第二光纤耦合器的输入端相接；

所述偏振无关隔离器的输出端与偏振控制器的输入端相接；所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的输出光纤与第一光纤耦合器的输入端相接。

9.根据权利要求8所述脉冲光纤激光器，其特征在于，所述增益光纤为掺稀土离子单模光纤。

10.根据权利要求8所述脉冲光纤激光器，其特征在于，所述泵浦源为激光二极管。