[发明专利]一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路

权利要求书

1.一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路，其特征在于，该电路包括：触发信号模块及CMOS脉冲产生模块，所述触发信号模块连接CMOS脉冲产生模块，CMOS脉冲产生模块产生脉冲输出；其中：所述触发信号模块包括晶振U1、电位器R1、电阻R2、电容C5、电容C6及电容C7，所述晶振U1的VCC端通过并联的三个电容C5、电容C6及电容C7接电源VCC，GND端接地，OUT端通过连接电位器R1控制晶振输出信号的幅值，调节后的输出信号接入到下级CMOS脉冲产生模块，电阻R2与触发信号模块的输出端并联后接地；

所述CMOS脉冲产生模块包括CMOS脉冲产生芯片Pulse_G、电位器R3、电位器R4、电容C7、电容C8及电容C9，其中CMOS脉冲产生芯片Pulse_G拥有数个管脚分别对应：脚0为Vss端接地；脚1为IN端接前级触发模块输出的触发信号；脚2为TB控制端接电位器R3有效端，电位器R3左右两端一端接电源VDD、一端接地；脚3为OUT端为脉冲信号输出端，脚4为PAD_VDD端接电源VDD；脚5为CORE_VDD端通过并联电容C8、电容C9和电容C10接电源VDD；脚6为TA控制端、接电位器R4有效端，电位器R4左右两端一端接电源VDD、一端接地；其中：

所述CMOS脉冲产生芯片Pulse_G包括反相器B1、反相器B2、反相器B3、MOSFET管M1、MOSFET管M2、MOSFET管M3、变容管C1、变容管C2、变容管C3、变容管C4及与门T1，其中，每个反相器由一个PMOS和一个NMOS组成，PMOS和NMOS的G极连接作为反相器的输入端，PMOS的S极一个NMOS的D极连接作为输出端；反相器依次按照反相器B1的输出端与反相器B2的输入端连接，反相器B2的输出端与反相器B3的输入端连接方式级联，其中反相器B1的输入端连接触发信号，反相器B3的输出端连接与门T1的输入端A；反相器B1、反相器B2、反相器B3的PMOS管的D极并联连接电源VDD，反相器B1、反相器B2、反相器B3的NMOS管的S极依次与MOSFET管M1、MOSFET管M2、MOSFET管M3的D极连接后并联接入到TA；变容管C1、变容管C2、变容管C3、变容管C4的一端依次并联在反相器B1、反相器B2、反相器B3、与门T1的输出端、另一端并联到TB；与门T1的输入端B连接触发信号。