[发明专利]一种SiBCN陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种SiBCN陶瓷的制备方法，其特征在于所述制备方法的步骤如下：

步骤1、在-50～0℃条件下，向Schlenk反应器中加入所述Schlenk反应器容积15～40％的溶剂，再按乙烯基氯硅烷∶硼烷∶六甲基二硅氮烷的物质的量比为3∶0.5～3∶3～12，向所述溶剂中依次加入乙烯基氯硅烷、硼烷和六甲基二硅氮烷，得到混合溶液；

步骤2、将所述混合溶液在15～35℃条件下保温0.5～2h，再以3～5℃/min的速率升温至120～140℃，蒸馏至冷凝管出口无液体流出，得到SiBCN陶瓷前驱体的低聚体；

步骤3、将所述SiBCN陶瓷前驱体的低聚体以4～8℃/min的速率升温至140～240℃，保温2～12h，自然冷却，得到SiBCN陶瓷前驱体；

步骤1～步骤3均在搅拌条件下进行，搅拌速率为500～2000r/min；

步骤4、将所述SiBCN陶瓷前驱体置于石墨坩埚内，然后将所述石墨坩埚放入炭化炉中；在氩气气氛下，以5～15℃/min的速率升温至1200～2000℃，保温1～2h，自然冷却，得到SiBCN陶瓷。

2.根据权利要求1所述的SiBCN陶瓷的制备方法，其特征在于所述Schlenk反应器为干燥后的Schlenk反应器；所述干燥是指先将所述Schlenk反应器加热至100℃～150℃，再用氮气或氩气置换所述Schlenk反应器中的气体2～3次。

3.根据权利要求1所述的SiBCN陶瓷的制备方法，其特征在于所述溶剂为正己烷、四氢呋喃和甲苯中的一种以上。

4.根据权利要求1所述的SiBCN陶瓷的制备方法，其特征在于所述乙烯基氯硅烷为二甲基乙烯基氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷和二乙烯基二氯硅烷中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的SiBCN陶瓷的制备方法，其特征在于所述硼烷为二甲基硫醚硼烷、吡啶硼烷和氨硼烷中的一种以上。

6.一种SiBCN陶瓷，其特征在于所述SiBCN陶瓷是根据权利要求1～5项中任一项所述SiBCN陶瓷的制备方法所制备的SiBCN陶瓷。