[发明专利]一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，由下至上包括：阴极电极、衬底层、N型SiC外延层、沟槽、介质层、导电层及阳极电极，复数个的沟槽位于N型SiC外延层的顶部，介质层和导电层依次填充在沟槽内，其特征在于：还包括P型区和内部P型区，该P型区嵌入于部分沟槽之间并位于N型SiC外延层与阳极电极的连接处，P型区的上边界突出于沟槽之上并与阳极电极相连，下边界位于沟槽顶部或之上，P型区的形成方式为外延生长；在N型SiC外延层的内部形成内部P型区。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，其特征在于：P型区呈规律性阵列嵌入。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，其特征在于：介质层从P型区的下边界向上延伸至P型区的侧边界。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，其特征在于：嵌入P型区的沟槽间距与未嵌入P型区的沟槽间距相同或不同。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，其特征在于：P型区掺杂元素为B、Al或B/Al共掺杂形成，P型区的掺杂浓度范围为1E14cm^-3至5E21cm^-3。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，其特征在于：介质层的材料为SiO₂、Al₂O₃、AlN、SiN中的一种或几种的组合，导电层的材料为金属、金属硅化物、多晶硅中的一种或几种的组合。

7.根据权利要求6所述的一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，其特征在于：多晶硅的掺杂可以为N型、P型或本征。