[发明专利]利用Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法在审
| 申请号： | 201910051991.9 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109647389A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;张浩;段苹;李瑞东;徐智洋;孙俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B01J23/62 | 分类号： | B01J23/62;B01J37/34;B01J37/06;C02F1/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 催化降解有机污染物 有机污染物 薄膜光 半导体材料 退火 催化降解效率 磁控溅射法 光催化降解 材料降解 采用直流 等离激元 负载材料 降解效率 沉积 | ||
【权利要求书】：
1.Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：
(1)采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；
(2)利用射频磁控溅射设备在石英基片上沉积一层Ga2O3薄膜材料；
(3)利用直流溅射设备在Ga2O3薄膜材料上生长一层Au薄膜；
(4)利用管式炉对覆盖有Au薄膜的Ga2O3薄膜材料进行热退火处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
(1)以石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，超声清洗基片，并用氮气气枪吹干基片备用；
(2)采用射频磁控溅射设备在石英基片上沉积一层Ga2O3薄膜材料；系统预真空度为5×10-4Pa；薄膜的生长气氛为Ar，工作气压为1.0Pa；Ga2O3靶材的溅射功率为80W，溅射时间为180min，获得Ga2O3薄膜；
(3)采用直流溅射设备在Ga2O3薄膜表面进行Au薄膜生长；工作气压为4Pa，溅射时间为5秒；
(4)采用管式炉对所制备薄膜进行退火处理；退火温度为800℃，恒温时间90分钟，使用N2作为保护气体，整个退火过程持续通气。
3.应用权利要求1或2所述方法所制备的Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜应用于有机污染物降解。
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