[发明专利]显示装置在审

专利信息
申请号: 201910053671.7 申请日: 2019-01-21
公开(公告)号: CN110068967A 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 朴度昤;罗柄善;罗釉美;安圭洙;理查德·詹姆斯;崔国铉 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1339;G02F1/1337
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 田野;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素电极 共电极 滤色器层 显示装置 间隔件 遮光柱 非显示区域 显示区域 液晶层 捕获 电极设置 遮光材料 电极 基底
【说明书】:

提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一基体基底(BS)、面对第一BS的第二BS、设置在第一BS与第二BS之间的液晶层、滤色器层、像素电极、遮光柱间隔件、共电极和捕获电极。第一BS包括显示区域和非显示区域。滤色器层设置在显示区域中的第一BS上。像素电极设置在滤色器层上。遮光柱间隔件设置在非显示区域中的第一BS上并包括遮光材料。共电极设置在第二BS上并面对像素电极。液晶层设置在共电极与像素电极之间。捕获电极设置在遮光柱间隔件的下部上并面对共电极。

本申请要求于2018年1月22日提交的第10-2018-0007871号韩国专利申请的优先权和权益,出于所有目的,该韩国专利申请通过引用包含于此,如同在此充分阐述的一样。

技术领域

一个或更多个示例性实施例总体上涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种能够防止(或至少减少)液晶层由于离子杂质而被污染的显示装置。

背景技术

通常,显示装置可以包括其上设置有多个像素的第一基底、面对第一基底的第二基底以及设置在第一基底与第二基底之间并由多个像素驱动的图像显示层。可以使用诸如液晶层、电润湿层和电泳层等的各种图像显示层来作为图像显示层。

每个像素可以包括连接到薄膜晶体管以接收数据电压的像素电极以及面对像素电极并被构造为接收共电压的共电极。图像显示层可以由形成在已经接收了数据电压的像素电极与已经接收了共电压的共电极之间的电场驱动,从而显示图像。

第一基底和第二基底中的任何一个可以包括设置在显示区域的非像素区域和非显示区域中的黑矩阵以防止漏光。另外,为了保持第一基底与第二基底之间的盒间隙,柱间隔件可以设置在第一基底和第二基底之间。通常,柱间隔件可以设置在形成有黑矩阵的区域内部以防止显示装置的开口率的减小。

该部分中公开的上述信息仅用于对发明构思的背景的理解,因此,可能包含不形成现有技术的信息。

发明内容

一些示例性实施例提供一种显示装置,所述显示装置能够防止(或至少减少)液晶层由于其中设置有遮光柱间隔件或低反射柱间隔件的结构中的离子杂质而被污染。

将在下面的详细描述中阐述另外的方面,另外的方面部分地将通过公开而明显,或者可以通过发明构思的实践而获知。

根据一些示例性实施例,显示装置包括第一基体基底、面对第一基体基底的第二基体基底、设置在第一基体基底与第二基体基底之间的液晶层、滤色器层、像素电极、遮光柱间隔件、共电极以及捕获电极。第一基体基底包括显示区域和非显示区域。滤色器层设置在显示区域中的第一基体基底上。像素电极设置在滤色器层上。遮光柱间隔件设置在非显示区域中的第一基体基底上并包括遮光材料。共电极设置在第二基体基底上并面对像素电极。液晶层设置在共电极与像素电极之间。捕获电极设置在遮光柱间隔件的下部上并面对共电极。

在一些示例性实施例中,共电极可以被构造为接收共电压,并且捕获电极可以被构造为接收具有比共电压的电位低的电位的捕获电压。

在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括:密封构件,设置在第一基体基底与第二基体基底之间,密封构件将第一基体基底和第二基体基底结合并且密封液晶层。密封构件可以设置在非显示区域中的遮光柱间隔件上。

在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括:第一取向层,设置在非显示区域中的遮光柱间隔件上,并且与密封构件间隔开以在平面图中不与密封构件叠置;以及第二取向层,设置在非显示区域中的共电极上,并且与密封构件间隔开以在平面图中不与密封构件叠置。

在一些示例性实施例中,显示区域可以具有在第一方向和与第一方向垂直的第二方向上限定的四边形形状,并且捕获电极可以设置为与显示区域的四个角相邻。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910053671.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top