[发明专利]一种AlSiC/AlSi两相材料及其制备方法在审
申请号: | 201910054174.9 | 申请日: | 2019-01-21 |
公开(公告)号: | CN110272280A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 刘昌涛;陈燕 | 申请(专利权)人: | 西安明科微电子材料有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B41/85;C04B38/06;C22C1/10;C22C1/02 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 王文伶 |
地址: | 710000 陕西省西安市航*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 两相 陶瓷基体 复合材料 粒径 多孔碳化硅陶瓷 复合材料技术 高岭土 碳化硅表层 碳化硅粉料 铝碳化硅 膨胀系数 导热率 苏州土 氧化铝 粉料 硅粉 硅蜡 浆料 可调 铝硅 扩散 | ||
1.一种AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将粒径分别为4-5μm、30-35μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料混合均匀,得到粉料M1;
S2、向粉料M1中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀,得到混合物M2;
S3、配制溶质的质量百分浓度为5-15%的溶液M3,所述溶质包括以下质量百分比的各组分:羟甲基丙基纤维素钠5-30%、聚乙烯醇50-80%、十六烷基三甲基溴化铵5-20%、磷酸三丁酯1-10%;
S4、将溶液M3与混合物M2混合均匀,得到坯料M4;然后将坯料M4放入模具中并压制成型,得到坯体M5;
S5、对坯体M5进行烧结处理,得到陶瓷基体M6;所述烧结处理的排胶温度为200-500℃,烧结温度为1000-1500℃;
S6、将由粒径分别为4-6μm和50-60μm的两种硅粉组成的硅粉组合物加入到融化的蜡浆中并混合均匀,得到硅蜡浆料M7;
S7、将陶瓷基体M6置于热压铸模具中,抽真空,然后在75-95℃下将硅蜡浆料M7注入热压铸模具中,冷却后脱模,得到坯体M8;
S8、将坯体M8埋于氧化铝粉末中并进行烧结处理,得到陶瓷基体M9;所述烧结处理的排蜡温度为100-300℃,烧结温度为900-1200℃;
S9、将陶瓷基体M9放入石墨模具中并连同石墨模具一起放入差压铸造浸渗炉中,对石墨模具抽真空,然后以1-5MPa的压力将铝合金熔液注入石墨模具内使铝合金熔液注入陶瓷基体M9的孔隙中,冷却后得到AlSiC/AlSi两相材料。
2.根据权利要求1所述的AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,所述粉料M1中,粒径分别为4-5μm、30-35μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料的质量百分比分别为5-30%、5-40%、5-30%、5-40%。
3.根据权利要求2所述的AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,所述粉料M1中,粒径分别为4-5μm、30-35μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料的质量比为1:2:1:2。
4.根据权利要求1所述的AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,所述混合物M2中,粉料M1、氧化铝、高岭土、苏州土的质量百分比分别为85-95%、1-10%、1-10%、1-10%。
5.根据权利要求1所述的AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,步骤S4中,将坯料M4放入模具后,在10-30MPa压力下保压2-200S,得到坯体M5。
6.根据权利要求1所述的AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,步骤S4中,坯料M4中溶液M3的质量百分比为10-30%。
7.根据权利要求1所述的AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,所述硅粉组合物中,粒径为50-60μm的硅粉的质量百分比20-90%。
8.根据权利要求7所述的AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,所述硅蜡浆料M7中,硅粉组合物的质量百分比为60-80%。
9.根据权利要求8所述的AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,其特征在于,所述蜡浆由石蜡、蜂蜡和油酸组成且在所述硅蜡浆料M7中的质量百分比分别为:石蜡12-30%,蜂蜡0.3-5%,油酸0.1-2%。
10.一种AlSiC/AlSi两相材料,其特征在于,由权利要求1-9任一项所述的制备方法制备。
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