[发明专利]一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法

权利要求书

1.一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)微弧氧化处理：将乙二胺四乙酸二钠与氢氧化钠溶于水中形成混合溶液，以混合溶液为电解液，以钛试样为阳极，以不锈钢板为阴极；将电解液加入到电解容器中，将钛试样置于电解液中进行微弧氧化，在钛表面生成二氧化钛微孔结构的微弧氧化涂层，烘干后得到微弧氧化钛试样；

2)水热处理：将水热溶液注入水热反应釜中，将步骤1)烘干后的微弧氧化钛试样浸没于水热溶液中，在150～240℃下水热处理1～24h，在微弧氧化钛表面生长二氧化锡纳米棒状结构，烘干后得到具有锡氧化物纳米结构涂层的试样；

3)钌盐热处理：将步骤2)烘干后所得具有锡氧化物纳米结构涂层的试样表面浸润钌溶液；将浸润钌溶液后的试样置于烘箱中烘干；将烘干后的试样放入马弗炉中进行热处理，得到具有生物活性的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌涂层的试样；其中，钌溶液是将钌盐加入到水中制得，钌溶液的浓度为5mg/mL～50mg/mL，热处理的温度为200℃～600℃，时间为0.5h～5h；

4)充电：给所得生物活性的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌涂层的试样充电，得到面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层。

2.根据权利要求1所述的一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，混合溶液中乙二胺四乙酸二钠的浓度为0.01～1mol/L，氢氧化钠的浓度为0.01～1mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，钛试样为TA2、TA3、TA4工业纯钛或TC4钛合金。

4.根据权利要求1所述的一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，微弧氧化的参数如下：微弧氧化采用脉冲电压，正电压为200～600V，负电压为10～100V，微弧氧化脉冲频率为500～1500Hz，微弧氧化的占空比为5％～20％，微弧氧化时间为3～13min。

5.根据权利要求1所述的一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，置于20～100℃的电解液中进行微弧氧化。

6.根据权利要求5所述的一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，水热溶液是将氢氧化钠、四氯化锡、去离子水与无水乙醇混合制得，其中氢氧化钠浓度为0.0001～0.8mol/L，四氯化锡浓度为0.0001～0.06mol/L。

7.根据权利要求6所述的一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，步骤2)中，去离子水和无水乙醇的体积比为(0.5～3.5)：1。

8.根据权利要求1所述的一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，步骤3)中，钌盐为乙酸钌、氯化钌或硫酸钌。

9.根据权利要求1所述的一种面向植入物的微弧氧化钛表面二氧化锡-二氧化钌电活性抑菌涂层的制备方法，其特征在于，步骤4)中，充电时间为10min～5h，充电电压为0.1v～2v。