[发明专利]一种SiO2@Ag光子晶体膜的制备方法

权利要求书

1.一种SiO₂@Ag光子晶体膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，氨水用蠕动泵以恒定速率滴加到正硅酸四乙酯的乙醇溶液中，反应1～2h，离心分离，得到SiO₂纳米微球；

步骤二，将十四烷基三甲基溴化铵TTAB加入到步骤一制备的SiO₂纳米微球的水溶液混合搅拌均匀，形成混合溶液；

步骤三，将银-氨溶液加入到步骤二的混合溶液中静置处理，随后转入恒温油浴的超声装置中反应1～4h，离心洗涤，制得SiO₂@Ag纳米微球。

步骤四，将载玻片清洗干净烘干备用，在烧杯中配制一定浓度的SiO₂@Ag分散液，超声处理至分散均匀后，垂直插入基片放入恒温的真空干燥箱中，静置组装即得到SiO₂@Ag光子晶体膜。

2.如权利要求1所述的制备SiO₂@Ag光子晶体膜的方法，其特征在于，所述步骤一中氨水的浓度为2～10mol/L，正硅酸四乙酯和乙醇的体积比为1：6～1:12，氨水和乙醇的体积比为1:6～1:10。

3.如权利要求1所述的制备SiO₂@Ag光子晶体膜的方法，其特征在于，所述步骤一氨水用蠕动泵以1～7rpm的速率滴加到正硅酸四乙酯的乙醇溶液中。

4.如权利要求1所述的制备SiO₂@Ag光子晶体膜的方法，其特征在于，所述步骤二中所取步骤一中SiO₂纳米微球与TTAB的质量比为1:100～1:50，且TTAB和SiO₂的有效接触，将作为下一步生长Ag纳米颗粒的模板。

5.如权利要求1所述的制备SiO₂@Ag光子晶体膜的方法，其特征在于，所述步骤三中银氨溶液取0.01g～0.1g硝酸银和浓度为3mol/L～14.5mol/L的氨水配置而成。银氨溶液和步骤二中的混合溶液体积比为1:60～1:20。

6.如权利要求1所述的制备SiO₂@Ag光子晶体膜的方法，其特征在于，所述步骤三中银-氨溶液加入到步骤二的混合溶液中静置处理的时间为1～20min，后转入到油浴的温度控制为60～100℃。

7.如权利要求1所述的制备SiO₂@Ag光子晶体膜的方法，其特征在于，所述步骤四将载玻片在浓硫酸与双氧水二者体积比为2:1于130-150℃下煮沸浸泡24h后，分别用高纯水和乙醇超声清洗10～20min后烘干后作为光子晶体膜的基片使用。

8.如权利要求1所述的制备SiO₂@Ag光子晶体膜的方法，其特征在于，所述步骤四在烧杯中配制的SiO₂@Ag分散液浓度为0.5g/L-20g/L，基片垂直插入溶液中，恒温的真空干燥箱温度为40～65℃。