[发明专利]晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法及其光刻轨道设备有效
| 申请号： | 201910054828.8 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109830446B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 马海买提;董维 | 申请（专利权）人： | 武汉衍熙微器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市江夏区经济开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 薄膜 粗糙 在线 检测 方法 及其 光刻 轨道 设备 | ||
1.一种晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法，其特征在于：在同一光刻轨道设备下，
在光刻工艺的显影之前，在白光光源照射下，对晶圆表面薄膜进行第一次拍照，因粗糙度不同，晶圆表面薄膜对不同波长的光的反射不同，得到一定颜色的照片；
在显影之后，在白光光源照射下，对所述的晶圆表面薄膜进行第二次拍照；
将第一次拍照的照片与第二次拍照的照片的颜色进行比较，颜色变化越大，说明晶圆表面薄膜粗糙度的变化越大。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法，其特征在于：所述的第一次拍照在光刻工艺的所有程序之前，所述的第二次拍照在光刻工艺的所有程序之后。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法，其特征在于：所述的第一次拍照和第二拍照时，晶圆均处于冷却后的状态。
4.根据权利要求1所述的晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法，其特征在于：所述的第一次拍照和第二拍照时，晶圆均处于加热后的状态。
5.根据权利要求1所述的晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法，其特征在于：本方法还包括：若识别颜色变化超过一定范围，则报废该晶圆；若无法判断颜色变化，则晶圆进行下一步工艺。
6.根据权利要求5所述的晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法，其特征在于：所述的颜色变化超过一定范围是指：从绿色变为紫色，或颜色在光谱中对应的光波长差异大于100nm。
7.用于实现权利要求1所述的晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法的光刻轨道设备，其特征在于：本光刻轨道设备还包括两个摄像单元和与摄像单元匹配的白光光源；其中，第一摄像单元用于在光刻工艺的显影之前，在第一白光光源的照射下，对晶圆表面薄膜进行第一次拍照；第二摄像单元用于在显影之后，在第二白光光源的照射下，对所述的晶圆表面薄膜进行第二次拍照。
8.根据权利要求7所述的光刻轨道设备，其特征在于：每个摄像单元包括至少一个变焦倍数10以上的感光式电子摄像头，每个感光式电子摄像头用于给一片晶圆进行拍摄。
9.用于实现权利要求1所述的晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法的光刻轨道设备，其特征在于：本光刻轨道设备还包括一个摄像单元、与摄像单元匹配的白光光源，以及移动机构；其中，所述的摄像单元和白光光源均固定在移动机构上，移动机构用于将摄像单元和白光光源在第一拍照位和第二拍照位之间来回移动；第一拍照位设置在光刻工艺的显影之前，第二拍照设置在光刻工艺的显影之后。
10.根据权利要求9所述的光刻轨道设备，其特征在于：所述的摄像单元包括至少一个变焦倍数为10以上的感光式电子摄像头，每个感光式电子摄像头用于给一片晶圆进行拍摄。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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