[发明专利]一种低反射率的超声相控阵在审

专利信息
申请号: 201910055625.0 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN109516218A 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 肖致远;尹德尧;吴迪 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: B65G54/00 分类号: B65G54/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵元 支架 超声相控阵 低反射率 控制电路 超声换能器 超声探头 悬浮能力 镂空结构 镂空 安装处 反射波 反射率 声悬浮 出射 晶片 保留 运输 应用
【权利要求书】:

1.一种低反射率的超声相控阵,包括阵元、阵元支架、控制电路,其特征在于:所述的阵元为超声换能器或者超声探头晶片,所述的阵元支架为镂空结构,所述的阵元固定在所述的阵元支架上,并与所述的控制电路相连接。

2.根据权利要求1所述的一种低反射率的超声相控阵,其特征在于,所述的阵元支架要尽可能镂空,即仅保留阵元的安装处(简称为安装处)、安装位置之间的连接处(后简称为连接处)、和阵元支架的边缘。

3.根据权利要求1所述的一种低反射率的超声相控阵,其特征在于,所述的阵元支架的形状为平面或者曲面。

4.根据权利要求2所述的一种低反射率的超声相控阵,其特征在于,所述的阵元支架的连接处的宽度要小于1mm。

5.根据权利要求2所述的一种低反射率的超声相控阵,其特征在于,所述的阵元支架的安装处的厚度要大于3mm。

6.根据权利要求2所述的一种低反射率的超声相控阵,其特征在于,所述的阵元支架的边缘的宽度要大于5mm。

7.根据权利要求2所述的一种低反射率的超声相控阵,其特征在于,所述的阵元支架中,连接处和边缘的上表面要低于阵元上表面四分之一波长。

8.根据权利要求1所述的一种低反射率的超声相控阵,其特征在于,所述的阵元在与所述的控制电路进行连接时,连接的电线固定在阵元支架的连接处的背面,或者直接印刷在背面。

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