[发明专利]一种硅衬底上的III族氮化物层在审
| 申请号： | 201910055992.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109887997A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/778;H01L31/0304;H01L31/101;H01L33/32;H01S5/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅衬底 中间层 基底层 断裂韧性 生长过程 压缩应力 功能层 断裂 生长 | ||
1.一种硅衬底上的III族氮化物层，包括硅衬底，以及依次位于硅衬底上的III族氮化物缓冲层、III族氮化物底层和III族氮化物功能层；其特征在于：所述III族氮化物底层包括有中间层和基底层，所述中间层的组分为BxAlyGa1-x-yN，其中0.05≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1，所述基底层的组分为AlzGa1-zN，其中0≤z≤1。
2.根据权利要求1所述的一种硅衬底上的III族氮化物层，其特征在于：所述中间层位于基底层之前、之中或之后，且所述中间层的厚度为0.3~3um，所述基底层的厚度为0.8~8um。
3.根据权利要求1所述的一种硅衬底上的III族氮化物层，其特征在于：所述中间层为固定组分或为渐变组分，所述基底层为固定组分或为渐变组分。
4.根据权利要求1所述的一种硅衬底上的III族氮化物层，其特征在于：所述III族氮化物缓冲层的组分为AlN，厚度为5~500nm。
5.根据权利要求1所述的一种硅衬底上的III族氮化物层，其特征在于：所述中间层由一个或一个以上的子中间层所组成，所述基底层为一个或一个以上的子基底层所组成，所述子中间层和子基底层通过任意形式的组合以构成所述III族氮化物底层。
6.根据权利要求5所述的一种硅衬底上的III族氮化物层，其特征在于：所述子中间层的厚度为0.01~3um，所述子基底层的厚度为0.01~8um。
7.根据权利要求1所述的一种硅衬底上的III族氮化物层，其特征在于：所述III族氮化物功能层为实现发光二极管、高电子迁移率晶体管、半导体激光器、光电探测器中的一种。
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