[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，通过利用图案化的黑色聚酰亚胺层作为可见光的吸收层且图案化的黑色聚酰亚胺层和图案化的绝缘层构成可见光的高反射介质层以避免可见光照射至有源层，图案化的黑色聚酰亚胺层和图案化的绝缘层作为非导电层不会与薄膜晶体管阵列基板中的导电层形成寄生电容。

技术领域

本申请涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)底栅薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)的研究日趋成熟，其背沟道在等离子切割机环境时容易受到影响而损伤，如干刻蚀(Dry Etching)。铟镓锌氧化物顶栅(Top Gate)TFT不存在背沟道刻蚀损伤问题，一方面，栅介质位于有源层(铟镓锌氧化物层)上方起到了保护作用，另一方面，铟镓锌氧化物顶栅TFT通过正面曝光和干刻蚀实现了自对准，不存在交叠区域，工艺简单。

然而，采用顶栅TFT结构的液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)，有源层容易受到背光照射的影响，其光生载流子影响TFT特性，可靠性也随着光照强度增加和时间延长而大幅衰减，尤其是需要采用更高迁移率有源层时，光照射有源层的问题使得部分顶栅TFT结构设计采用了遮光层，即在有源层的下方先沉积一层金属进行遮光处理，再沉积绝缘缓冲(Buffer)层。但是，金属遮光层容易与TFT中金属遮光层上方的导电层构造出电容结构，导致寄生电容的增大，影响TFT器件性能。

发明内容

本申请的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，组成薄膜晶体管阵列基板的图案化的黑色聚酰亚胺层和图案化的绝缘层能避免可见光照射至有源层且不会与薄膜晶体管阵列基板中的导电层形成寄生电容。

为实现上述目的，技术方案如下。

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

提供一基板；

于所述基板上形成依次层叠的图案化的绝缘层和图案化的黑色聚酰亚胺层，所述图案化的绝缘层对可见光的折射率大于所述基板和所述图案化的黑色聚酰亚胺层对可见光的折射率；

于所述图案化的黑色聚酰亚胺层上方形成有源层；

于所述有源层上方形成导电层。

在上述薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述于所述基板上形成依次层叠的图案化的绝缘层和图案化的黑色聚酰亚胺层包括如下步骤：

于所述基板上依次形成整面的绝缘层和整面的黑色聚酰亚胺层；

通过同一黄光制程处理整面的所述绝缘层和整面的所述黑色聚酰亚胺层以形成依次层叠的图案化的绝缘层和图案化的黑色聚酰亚胺层。

在上述薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述图案化的绝缘层为氮化硅层或二氧化钛层。

在上述薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述图案化的黑色聚酰亚胺层的厚度为0.8微米-1.5微米。

在上述薄膜晶体管阵列基板的制造方法中，所述制造方法还包括：于所述图案化的黑色聚酰亚胺层和所述有源层之间形成缓冲层。

一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

一基板；

于所述基板上形成的依次层叠的图案化的绝缘层和图案化的黑色聚酰亚胺层，所述图案化的绝缘层对可见光的折射率大于所述基板和所述图案化的黑色聚酰亚胺层对可见光的折射率；

于所述图案化的黑色聚酰亚胺层上方形成的有源层；

于所述有源层上方形成的导电层。