[发明专利]一种高溶解性的高性能半导体共轭聚合物及其合成方法

权利要求书

1.一种高溶解性的高性能半导体共轭聚合物，其特征在于：所述半导体共轭聚合物的主链是由异靛蓝和联噻吩组成，侧链是长度可调的长直杂化硅氧烷基链；所述半导体共轭聚合物的结构式为：

其中：m＝2～11，p＝2、6、10、14或18。

2.根据权利要求1所述的一种高溶解性的高性能半导体共轭聚合物，其特征在于：所述半导体共轭聚合物，引入长直杂化硅氧烷基链作为侧链，通过调控侧链中直链烷基和硅氧烷基链的长度，可以调控聚合物的溶解度。

3.根据权利要求1所述的一种高溶解性的高性能半导体共轭聚合物，其特征在于：所述半导体共轭聚合物，引入长直杂化硅氧烷基链作为侧链，通过调控侧链中直链烷基的长度，可以控制主链与硅氧烷基链的距离，促使主链紧密排列，使分子堆积更加紧密，从而提高聚合物的电荷传输性能。

4.一种权利要求1～3中任意一项所述的高溶解性的高性能半导体共轭聚合物的合成方法，其特征在于：以异靛蓝双溴单体和联噻吩双锡单体为原料，以三(二亚苄基丙酮)二钯为催化剂，在三(邻甲基苯基)磷为配体的体系下，采用Stile交叉偶联反应，即获得溶解度可调节的高性能半导体共轭聚合物。

5.根据权利要求4所述的一种高溶解性的高性能半导体共轭聚合物的合成方法，其特征在于：所述的交叉偶联反应的温度为90-130℃、时间为6-72h。

6.根据权利要求4所述的一种高溶解性的高性能半导体共轭聚合物的合成方法，其特征在于：所述的异靛蓝双溴单体、联噻吩双锡单体、三(二亚苄基丙酮)二钯、三(邻甲基苯基)磷的用量摩尔比为1：1：0.02：0.08。