[发明专利]一种双向输出半导体激光器在审
| 申请号： | 201910056761.1 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109687286A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 邹永刚;海一娜;范杰;石琳琳;王海珠;兰云萍;马晓辉;徐英添;张贺;郝永芹 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 输出 二阶光栅 功能层 半导体封装技术 半导体激光 固体激光器 光纤激光器 领域应用 双向激光 相对设置 依次设置 制备工艺 高功率 高光束 体积小 泵浦 衬底 源区 申请 指向 制作 加工 | ||
1.一种双向输出半导体激光器，其特征在于：包括相对设置的N面电极(1)和P面电极(2)，所述N面电极(1)与所述P面电极(2)之间设置有功能层，在第一方向上，所述功能层包括依次设置的衬底(3)、N型限制层(4)、N型波导层(5)、有源区(6)、P型波导层(7)和P型限制层(8)，所述第一方向为由所述N面电极(1)指向所述P面电极(2)的方向；
所述P面电极(2)与所述P型限制层(8)之间设置有二阶光栅层(9)，所述二阶光栅层(9)设置于所述P型限制层(8)上。
2.如权利要求1所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：所述二阶光栅层(9)刻蚀至所述P型限制层(8)上。
3.如权利要求2所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：所述二阶光栅层(9)为P型二阶光栅层，所述P型二阶光栅层包括脊形结构。
4.如权利要求1所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：还包括第一腔面(10)和第二腔面(11)，所述第一腔面(10)设置于所述双向输出半导体激光器一侧，所述第二腔面(11)设置于所述双向输出半导体激光器另一侧，所述第一腔面(10)上设置有增透膜，所述第二腔面(11)上设置有高反膜。
5.如权利要求1所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：所述有源区(6)为量子阱有源区或量子点有源区。
6.如权利要求3所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：所述脊形结构采用紫外曝光，然后进行等离子刻蚀。
7.如权利要求1～6中任一项所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：还包括出光口(12)，所述出光口(12)上设置有增透膜，所述出光口(12)设置于所述衬底(3)另一侧。
8.如权利要求7所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：所述P型限制层(8)采用AlxGa1-xAs材料，所述二阶光栅层(9)采用GaAs材料，所述二阶光栅层(9)周期为300nm，占空比为0.4，深度400nm。
9.如权利要求7所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：所述N型波导层(5)和所述P型波导层(7)采用AlxGa1-xAs材料，所述N型波导层(5)和所述P型波导层(7)的厚度比为4：1。
10.如权利要求7所述的双向输出半导体激光器，其特征在于：所述衬底(3)为N型掺杂的GaAs衬底，所述二阶光栅层(9)采用全息曝光/电子束曝光，然后进行等离子刻蚀。
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