[发明专利]一种字线多晶硅阻挡氧化层及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

硅基衬底、形成在所述硅基衬底上的源极和漏极，位于所述硅基衬底上的栅极结构，在所述漏极上引出的位线，在所述源极上引出的源线，以及位于所述源线和位线之间的字线多晶硅，形成在所述栅极结构和所述字线多晶硅之间的位移侧墙薄膜；位于所述字线多晶硅上方的字线多晶硅阻挡氧化层，所述字线多晶硅阻挡氧化层保护所述位移侧墙薄膜；所述字线多晶硅阻挡氧化层为正硅酸乙酯。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，采用所述正硅酸乙酯作为所述字线多晶硅阻挡氧化层，不受所述字线多晶硅植入计量的影响。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，采用所述正硅酸乙酯作为所述字线多晶硅阻挡氧化层，可省略氧化物颗粒去除工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，采用所述正硅酸乙酯作为所述字线多晶硅阻挡氧化层，减少热预算。

5.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成具有存储器单元字线多晶硅的半导体结构，且对所述字线多晶硅进行化学机械研磨；

其中，所述半导体结构包括：

硅基衬底、形成在所述硅基衬底上的源极和漏极，位于所述硅基衬底上的栅极结构，在所述漏极上引出的位线，在所述源极上引出的源线，以及位于所述源线和位线之间的字线多晶硅，形成在所述栅极结构和所述字线多晶硅之间的位移侧墙薄膜；

执行步骤S2：在所述具有存储器单元字线多晶硅的半导体结构之异于硅基衬底一侧沉积正硅酸乙酯；

执行步骤S3：对沉积在所述具有存储器单元字线多晶硅的半导体结构之异于硅基衬底一侧的正硅酸乙酯进行化学机械研磨；所述化学机械研磨工艺将会终止于所述字线多晶硅两侧的浮栅氮化硅薄膜处；字线多晶硅阻挡氧化层位于所述字线多晶硅上方，所述字线多晶硅阻挡氧化层保护所述位移侧墙薄膜。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述位移侧墙薄膜为氮化硅薄膜。

7.如权利要求5所述半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述字线多晶硅进行化学机械研磨系用于对字线多晶硅进行平坦化。