[发明专利]一种酸性水基清洗剂及其制备方法

说明书

本申请涉及一种酸性水基清洗剂，其由下述原料组分制成：三元羧酸或其碱金属盐；三羟基取代的芳香族化合物；二羟基取代的二元羧酸或其碱金属盐；和余量的水。本申请还涉及一种制备如上所述的酸性水基清洗剂方法。本申请的清洗剂不含任何表面活性剂，原材料来源广泛，制备工艺简单，成本低廉，且可有效除去不同材料表面的有机污染物和金属离子，去污率高，特别适合于精密玻璃仪器和半导体工业中硅片衬底的清洗。

技术领域

本申请涉及表面清洗技术领域。具体来说，本申请涉及一种酸性水基清洗剂及其制备方法。

背景技术

目前，业内清洗精密玻璃仪器或设备时大致采用氟利昂、三氯乙烷、四氯化碳氟氯烃类溶剂清洗剂(简称ODS物质)、碱性水基清洗剂、水基中温清洗剂、超声波清洗、喷洗剂和超声波组合清洗等清洗剂和方法。但这些知己和方法清洗油污的有机污染物效果不是特别理想，残留较多，对被清洗物腐蚀较大，有的清洗剂甚至可能污染环境，破坏生态平衡。

另一方面，随着集成电路和光刻技术的迅猛发展，器件的特征尺寸不断减小，对衬底表面洁净度的要求也更加严苛，硅片清洗在半导体工业的重要性已经引起人们的高度重视。硅衬底表面的污染物会严重影响硅衬底的物理性质和电学性质，并最终影响集成电路产品的成品率。例如，在超大规模集成电路的制造工艺中，硅片的表面状态是保证后续集成电路平整度的基础。如果清洗效果不好会直接影响器件的成品率、性能和可靠性。但现有的清洗剂降低硅片表面金属离子的效果不太理想。

为此，本领域持续需要开发一种能有效除去无机材料表面的有机污染物或金属离子的清洗剂。

发明内容

本申请之目的在于提供一种酸性水基清洗剂，从而解决上述现有技术中的技术问题。本申请通过选择能和各种金属离子进行络合的特定有机酸来制备水基清洗剂，可有效地除去玻璃表面的有机污染物，还可高效地除去硅片表面上的金属离子，去污能力强，且适用于清洗不同的材料。此外，本申请的水基清洗剂仅含少量的苯酚类添加剂，大部分酸都是源自天然植物，因此原材料来源广泛环保，且可降低最终水基清洗剂的成本。

本申请之目的还在于提供一种制备如上所述的酸性水基清洗剂的方法。

为了实现上述目的，本申请提供下述技术方案。

在第一方面中，本申请提供一种酸性水基清洗剂，其特征在于，其由下述原料组分制成：

三元羧酸或其碱金属盐；

三羟基取代的芳香族化合物；

二羟基取代的二元羧酸或其碱金属盐；

和余量的水。

在第一方面的一种实施方式中，以重量份数为基准计，其由下述原料组分制成：

在第一方面的一种实施方式中，以重量份数为基准计，其由下述原料组分制成：

在第一方面的一种实施方式中，其仅由下述原料组分组成：

三元羧酸或其碱金属盐；

三羟基取代的芳香族化合物；

二羟基取代的二元羧酸或其碱金属盐；

和余量的水。

在第一方面的一种实施方式中，所述三元羧酸或其碱金属盐包括柠檬酸、柠檬酸钠或柠檬酸钾。

在第一方面的一种实施方式中，所述三羟基取代的芳香族化合物包括焦性没食子酸。

在第一方面的一种实施方式中，所述二羟基取代的二元羧酸或其碱金属盐包括酒石酸。