[发明专利]光刻胶去除方法及铝制程工艺方法

权利要求书

1.一种光刻胶去除方法，用于铝制程工艺中，其特征在于，所述方法包括：

以一光刻胶层为掩膜对基底上形成的金属结构层进行刻蚀后，先在120℃～140℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理，再在290℃～310℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理，以及，对灰化处理后的所述光刻胶层进行清洗处理；

其中，所述金属结构层包括一铝层，所述铝层中掺杂有铜。

2.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在120℃～140℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理的时间为15秒～25秒；在290℃～310℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理的时间为35秒～55秒。

3.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在120℃～140℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理包括：向灰化处理室中通入氧气，或通入氧气和氮气的混合气体来产生等离子体。

4.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在290℃～310℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理包括：向灰化处理室中通入氧气，或通入氧气和氮气的混合气体来产生等离子体。

5.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，所述光刻胶去除方法还包括：清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣。

6.根据权利要求5所述的光刻胶去除方法，其特征在于，采用超声波的方式清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣。

7.一种铝制程工艺方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成金属结构层，所述金属结构层包括一掺杂有铜的铝层；

以一光刻胶层为掩膜对所述金属结构层进行刻蚀以暴露出所述基底；以及

通过如权利要求1～6中任一项所述的光刻胶去除方法去除所述光刻胶层。

8.根据权利要求7所述的铝制程工艺方法，其特征在于，以一光刻胶层为掩膜对所述金属结构层进行刻蚀之前，所述铝制程工艺方法还包括：先在所述金属结构层上形成抗反射介质层，所述光刻胶层覆盖所述抗反射介质层。

9.根据权利要求7所述的铝制程工艺方法，其特征在于，去除所述光刻胶层之后，所述铝制程工艺方法还包括：在被刻蚀的所述金属结构层和暴露出的所述基底上沉积一介质层。

10.根据权利要求7所述的铝制程工艺方法，其特征在于，所述金属结构层还包括第一材料层、第二材料层、第三材料层和第四材料层，所述第一材料层、所述第二材料层、所述铝层、所述第三材料层、所述第四材料层从下至上依次层叠；其中，所述第一材料层和所述第三材料层的材料为钛，所述第二材料层和所述第四材料层的材料为氮化钛。