[发明专利]改善外延层上光刻标记的方法在审
| 申请号： | 201910057329.4 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109786227A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 薄外延层 厚外延层 层间对准 工艺要求 外延生长 外延层 上光 刻蚀 多层 关联 | ||
1.一种改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，将厚外延层分成多层薄外延层进行外延生长，通过将上一层的光刻标记的刻蚀深度与下一层薄外延层的厚度相关联，以上一层薄外延层上形成的缩小结构的光刻标记通过光刻和刻蚀后得到改善后的光刻标记为基础，进行外延生长下一层薄外延层，以改善厚外延层上形成的光刻标记达到层间对准的工艺要求。
2.如权利要求1所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，对下一层薄外延层上形成缩小结构的光刻标记进行光刻和刻蚀，以使该下一层薄外延层上的光刻标记与上一层的光刻标记的结构保持一致性。
3.如权利要求1所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，所述厚外延层形成在具有光刻标记的衬底上。
4.如权利要求1所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，所述将上一层的光刻标记的刻蚀深度与下一层薄外延层的厚度相关联的步骤包括：根据上一层的光刻标记的刻蚀深度调整下一层薄外延层的厚度。
5.如权利要求1所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，所述将上一层的光刻标记的刻蚀深度与下一层薄外延层的厚度相关联的步骤包括：根据下一层薄外延层的厚度调整上一层的光刻标记的刻蚀深度。
6.如权利要求1所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，根据多组不同刻蚀深度的光刻标记和相同厚度的薄外延层，找出光刻标记的刻蚀深度与薄外延层的比值关系，将上一层的光刻标记的刻蚀深度与下一层薄外延层的厚度相关联。
7.如权利要求1所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，根据多组相同刻蚀深度的光刻标记和不同厚度的薄外延层，找出光刻标记的刻蚀深度与薄外延层的比值关系，将上一层的光刻标记的刻蚀深度与下一层薄外延层的厚度相关联。
8.如权利要求1或6或7所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，所述厚外延层的厚度在25um以上，所述薄外延层的厚度在5um至20um之间，所述光刻标记的刻蚀深度为1um以上。
9.如权利要求8所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，在所述薄外延层的厚度为15um时，所述上一层光刻标记的刻蚀深度与下一层薄外延层的比值大于1：7.5。
10.如权利要求1所述的改善外延层上光刻标记的方法，其特征在于，在次顶层薄外延层上形成新的光刻标记，将次顶层薄外延层上光刻标记的刻蚀深度与顶层薄外延层的厚度相关联，外延生长顶层薄外延层以形成厚外延层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
