[发明专利]非易失性存储器装置及其读取方法在审
申请号: | 201910057925.2 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN110136764A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 申东珍;金志秀;边大锡;李知尚;孔骏镇;吴银珠 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 读取信号 读取 非易失性存储器装置 页数据 读取操作 控制逻辑 页缓冲器 个位 配置 锁存 响应 | ||
1.一种非易失性存储器装置,包括:
页缓冲器,被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存;
控制逻辑,被配置为将响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果进行比较,以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号,并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号,其中,高优先级读取信号集用于读取高优先级页数据,低优先级读取信号用于读取低优先级页数据。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,低优先级读取信号的电平对应于高优先级读取信号的电平。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,低优先级读取信号的电平不同于高优先级读取信号的电平。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,控制逻辑还被配置为:根据高优先级页数据的编程状态和低优先级页数据的编程状态来确定低优先级读取信号的电平。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,控制逻辑还被配置为:通过将高优先级页数据的分布的扩散方向与低优先级页数据的分布的扩散方向进行比较来确定低优先级读取信号的电平。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中,当高优先级页数据的分布的扩散方向与低优先级页数据的分布的扩散方向相反时,控制逻辑还被配置为将高优先级读取信号的电平沿与高优先级页数据的分布的扩散方向相反的方向移位,来确定低优先级读取信号的电平。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中,当低优先级页数据的编程状态高于高优先级页数据的编程状态时,控制逻辑还被配置为将高优先级读取信号的电平向更低编程方向移位,来确定低优先级读取信号的电平。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中,当低优先级页数据的编程状态低于高优先级页数据的编程状态时,控制逻辑还被配置为将高优先级读取信号的电平向更高编程方向移位,来确定低优先级读取信号的电平。
9.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中,当高优先级页数据的分布的扩散方向与低优先级页数据的分布的扩散方向相同时,控制逻辑还被配置为将高优先级页数据的分布的扩散程度与低优先级页数据的分布的扩散程度进行比较,来确定低优先级读取信号的电平。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置,其中,当高优先级页数据的分布的扩散程度高于低优先级页数据的分布的扩散程度时,控制逻辑还被配置为将高优先级读取信号的电平沿与高优先级页数据的分布的扩散方向相反的方向移位,来确定低优先级读取信号的电平。
11.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置,其中,当高优先级页数据的分布的扩散程度低于低优先级页数据的分布的扩散程度时,控制逻辑还被配置为将高优先级读取信号的电平沿高优先级页数据的分布的扩散方向移位,来确定低优先级读取信号的电平。
12.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,控制逻辑还被配置为:在高优先级页数据的读取操作之后的低优先级页数据的读取操作期间,改变页缓冲器的锁存时间来改变低优先级读取信号的电平。
13.根据权利要求12所述的非易失性存储器装置,其中,控制逻辑还被配置为:在低优先级页数据之中的第一低优先级页数据的读取操作期间,改变页缓冲器的锁存时间来改变低优先级读取信号的电平。
14.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置,其中,控制逻辑还被配置为:在第一低优先级页数据的读取操作之后的页数据的读取操作期间,改变提供给连接到页缓冲器的存储器单元的读取电压的电平来改变低优先级读取信号的电平。
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