[发明专利]一种适用于压电单晶材料的极化方法有效

专利信息
申请号: 201910058668.4 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN111463343B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 刘锦峰;许桂生;朱秀;陈梅林 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01L41/257 分类号: H01L41/257
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;邹蕴
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 压电 材料 极化 方法
【权利要求书】:

1.一种适用于压电单晶材料的极化方法,其特征在于,具备:

分区步骤:

将环形的所述压电单晶材料以从环形截面观察时在周向均等分割为若干区域的形式进行分割,并使分割后的各区域在上下表面上形成导电电极而在分割线处无导电电极;设定所述各区域中的任一区域与相邻区域具有相反的压电性能符号,而与被所述相邻区域隔开的相隔区域具有相同的压电性能符号;所述压电单晶材料为铌锌酸铅-钛酸铅(PZNT)、铌镁酸铅钛酸铅(PMNT)或铌铟酸铅铌镁酸铅钛酸铅(PIMNT);

极化步骤:

在所述各区域中选择一个以上压电性能符号相同的区域进行极化处理,与此同时使其余区域的上下表面通过导电物质连接;当所选择的区域完成极化处理后,在未极化处理的区域中继续选择一个以上压电性能符号相同的区域进行极化处理,与此同时使包含已极化处理的区域的其余区域的上下表面通过导电物质连接;如此,在未极化处理的区域中选择一个以上压电性能符号相同的区域依次进行极化处理直至所述各区域均完成;所述极化处理时施加的电场为E,Ec≤E≤10Ec,其中Ec为所极化晶体材料的矫顽场。

2.根据权利要求1所述的一种适用于压电单晶材料的极化方法,其特征在于,所述极化处理时,对压电性能符号相同的区域施加方向相同的电场,对压电性能符号相反的区域施加方向相反的电场。

3.根据权利要求1所述的一种适用于压电单晶材料的极化方法,其特征在于,所述极化处理时,所述极化处理每一次只针对压电性能符号相同的区域进行。

4.根据权利要求1所述的一种适用于压电单晶材料的极化方法,其特征在于,所述极化处理的次数为两次以上,区域数量以下。

5.根据权利要求4所述的一种适用于压电单晶材料的极化方法,其特征在于,所述极化处理为两次。

6.根据权利要求1所述的一种适用于压电单晶材料的极化方法,其特征在于,所述压电单晶材料的内圆直径为0.5mm~90mm,外圆直径为2mm~100mm,厚度为0.2~50mm。

7.根据权利要求1所述的一种适用于压电单晶材料的极化方法,其特征在于,所述极化处理时的温度为T,室温≤T≤Td,其中Td为压电单晶材料的退极化温度。

8.根据权利要求1所述的一种适用于压电单晶材料的极化方法,其特征在于,所述极化处理时的时间为t,t≥1s。

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