[发明专利]一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201910058819.6 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109678498A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 蒲永平;史瑞科;郭旭;李经纬;杨梦蝶;王雯;师裕 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/64 |
| 代理公司： | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人： | 刘华 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电陶瓷 快速烧结 烧结 快速致密化 电场 电场作用 烧结过程 陶瓷坯体 挥发 制备 陶瓷 施加 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：在对NBT压电陶瓷进行烧结的同时，向其陶瓷坯体两端施加电场，使得陶瓷在低温下可以实现快速致密化。
2.根据权利要求1所述的一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法，其特征在于，所述的电场强度为120~160 V/cm。
3.根据权利要求1所述的一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法，其特征在于，所述烧结温度为800~1000 ℃，保温时间为20 ~ 40 s，升温速率为5 ~ 15℃/min。
4.根据权利要求书1所述的一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法，其特征在于，将NBT陶瓷生坯置于烧结炉中，通过铂丝将NBT压电陶瓷胚体和高压电源连接形成通路。
5.根据权利要求书1所述的一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法，其特征在于，所述的高压电源的极限电流为200 ~2000 mA。
6.根据权利要求书1所述的一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法，其特征在于，所述的高压电源为直流或交流电源。
7.根据权利要求书1所述的一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法，其特征在于，用于进行烧结的NBT压电陶瓷生坯，是通过冷等静压工艺成型的。
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