[发明专利]MOS栅晶体管及其构建方法

权利要求书

1.一种MOS栅晶体管，包括：发射极、多晶硅栅极结构、n型多晶硅层、p基极区、n+型发射区、n-型漂移区、n型缓冲区、p型集电极区、以及集电极；

所述n-型漂移区的上方设置所述n型多晶硅层，所述n型多晶硅层中形成有所述p基极区以及n+型发射区；所述n型多晶硅层上设置有所述多晶硅栅极结构，所述多晶硅栅极结构包括从下而上设置栅氧化层、多晶硅栅膜以及含硼及磷的硅化物，所述含硼及磷的硅化物上方设置有所述发射极；所述p基极区以及n+型发射区上方设置有接触孔；

所述n-型漂移区的下方设置所述n型缓冲区，所述n型缓冲区的下方设置所述p型集电极区，所述p型集电极区的下方连接所述集电极。

2.如权利要求1所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述多晶硅栅极结构为相对所述n型多晶硅层的凸起结构，所述凸起结构的宽度为1.0μm。

3.如权利要求1或2所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述p基极区的深度为0.5～0.8μm，n+型发射区的深度为0.15μm。

4.如权利要求3所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为0.1μm，以及所述多晶硅栅膜的厚度为1μm。

5.一种MOS栅晶体管的构建方法，包括：

使用O2与H2燃烧FZ硅片，沉积n型多晶硅层；

在所述n型多晶硅层中利用离子注入和热退火形成双扩散p基极区和n+发射极区；

在所述n型多晶硅层上热生长SiO2层，并在SiO2层沉积Si3N4掩模；

在p基极区和n+发射极区上干法蚀刻n型多晶硅层，通过RIE工艺热处理以去除损坏的n型多晶硅层，在所述n型多晶硅层形成凸起结构；

在所述凸起结构上依次形成栅氧化层、多晶硅栅膜以及含硼及磷的硅化物；

使用化学干法蚀刻和反应离子蚀刻打开接触孔，并使用溅射沉积Al Si Cu，形成的MOS栅晶体管。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述SiO2层的厚度为0.1μm，所述Si3N4掩模的厚度为0.5μm。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其特征在于，所述p基极区的深度为0.5～0.8μm，n+型发射区的深度为0.15μm。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为0.1μm，以及所述多晶硅栅膜的厚度为1μm。