[发明专利]一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法

权利要求书

1.一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，其特征在于：通过利用硫化镉对硒化镉量子点表面进行修饰，进而达到抑制量子点表面的缺陷，实现荧光性能的提高，具体包括以下步骤：

S1)、将过量的Na₂SO₃溶于去离子水中，搅拌均匀，再将硒粉加入到Na₂SO₃的水溶液中，油浴加热，通过磁力搅拌使硒粉充分溶解，然后回流1-2h，最终得到淡黄色的硒代硫酸钠液溶胶(Na₂SeSO₃)；

S2)、配置CdCl₂溶液和一定浓度的CyS溶液；

S3)、然后将CyS溶液与CdCl₂溶液混合配制混合溶液，然后调节混合溶液的PH至6-8，在磁力搅拌下加入步骤S1)制备的硒代硫酸钠液溶胶(Na₂SeSO₃)进行混合，搅拌30min-2h，经过一定反应时间后得到黄绿色溶液，实现硒化镉量子点液溶胶的合成；

S4)、将上述制备的硒化镉量子点液溶胶放置烧杯中，用强磁力搅拌器进行搅拌，同时缓慢交替加入一定量的氯化镉(CdCl₂)和硫化钠(Na₂S)溶液，充分搅拌30min-2h，可制备出CdS修饰的CdSe量子点液溶胶。

2.根据权利要求1所述的一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，其特征在于：步骤S1)中，所述的Na₂SO₃水溶液的浓度为1.2×10^-3mol/mL，所述的Na₂SO₃和硒粉的物质的量比为n(Na₂SO₃)：n(Se)＝2：1-4：1。

3.根据权利要求2所述的一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，其特征在于：步骤S1)中，所述油浴加热的温度为70-80℃，搅拌时间为1-3h。

4.根据权利要求1所述的一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，其特征在于：步骤S2)中，配置的CdCl₂溶液的浓度为2.0×10^-2mol/L，配置的CyS溶液的浓度为1.0×10^-5mol/mL。

5.根据权利要求1所述的一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，其特征在于：步骤S3)中，按照CyS与CdCl₂物质的量比为0.5：1-3：1的比例将CyS溶液与CdCl₂溶液混合。

6.根据权利要求5所述的一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，其特征在于：步骤S3)中，在磁力搅拌下，按照n(Cd^2-)：n(SeSO₃^2-)＝1.5：1-3：1的比例将CyS溶液和CdCl₂溶液的混合溶液与硒代硫酸钠液溶胶(Na₂SeSO₃)混合。

7.根据权利要求6所述的一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，其特征在于：步骤S3)中，调节混合溶液的PH采用的溶液为氢氧化钠溶液。

8.根据权利要求1所述的一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，其特征在于：步骤S4)中，所述氯化镉(CdCl₂)和硫化钠(Na₂S)溶液物质的量比为0.8：1-1：1.2。