[发明专利]陶瓷盘清洁装置有效
申请号: | 201910060550.5 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN109701961B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 陈文鹏;张洁;林武庆;赖柏帆 | 申请(专利权)人: | 福建北电新材料科技有限公司 |
主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00;B08B13/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 蒋姗 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 清洁 装置 | ||
本发明提供一种陶瓷盘清洁装置,其包括基座、第一滚轴、第二滚轴、第一驱动机构、固定机构和切割机构;所述基座上用于放置陶瓷盘;所述第一滚轴和第二滚轴均能够自转,且均位于所述基座的上方;所述第一滚轴上卷绕有能够粘附颗粒物的薄膜;所述第二滚轴能够在竖直方向上升降;所述第一驱动机构用于驱动第一滚轴和第二滚轴在水平方向上移动;所述固定机构位于所述基座的一侧,且低于所述基座用于放置陶瓷盘的承载面,用于将所述第一滚轴放出垂落至所述固定机构处的薄膜固定在其上;所述切割机构位于所述固定机构处,其能够将被所述固定机构固定的薄膜从所述第一滚轴上切割分离。本发明提供的陶瓷盘清洁装置可以降低清洁成本,并保证清洁效果。
技术领域
本发明涉及晶体生长领域,尤其是涉及一种在碳化硅单晶生长领域会使用到的陶瓷盘清洁装置。
背景技术
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,其具有宽禁带、高击穿场、大热导率、电子饱和漂移速度高、抗辐射强和良好化学稳定性等特性,这使其成为一种广泛应用的重要衬底晶片材料。
对碳化硅衬底晶片的加工包括晶棒的线切、研磨、倒角、退火、贴蜡、铜抛、抛光等工艺步骤。其中,铜抛步骤主要用于去除经研磨后衬底晶片表面存在的损伤层,同时修复衬底晶片表面的平坦度。在此之前的贴蜡步骤主要是在衬底晶片表面进行贴蜡。在贴蜡步骤中,陶瓷盘和衬底晶片之间的洁净度对于铜抛步骤具有重要影响;如果陶瓷盘上存在细小的颗粒物,经贴蜡步骤后,这些细小的颗粒物与蜡混杂在一起,会在铜抛步骤中影响衬底晶片的平坦度的修复,甚至会造成衬底晶片破裂。因此,在进行贴蜡步骤之前需要对衬底晶片和陶瓷盘进行清洗。
对于陶瓷盘的清洗,现有技术中一般使用浸有酒精的无尘布进行擦拭。在清洗完成之后,将陶瓷盘传送至用于贴蜡的机台。但由于陶瓷盘较重,且体积较大,在清洗之后的传送过程中容易造成二次污染,使得陶瓷盘的表面再度沾有细小的颗粒物,因此,还需要在机台上对陶瓷盘进行再次的人工擦拭,以保证陶瓷盘的清洁度。
但这样的过程中存在以下问题:
首先,两次的人工擦拭需要耗费较多的人力,从而会提高衬底晶片的生产成本。
其次,人工擦拭的清洗方式,由于清洁人员的手法差异不易律定,难以保证清洁效果,使得陶瓷盘上容易会残留细小的颗粒物,从而在铜抛步骤中影响衬底晶片的平坦度的修复,乃至于造成衬底晶片破裂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种陶瓷盘清洁装置,其可以改善现有技术中存在的清洁成本高,以及清洁效果难以保证的技术问题。
本发明提供的陶瓷盘清洁装置,其包括基座、第一滚轴、第二滚轴、第一驱动机构、固定机构和切割机构;所述基座上用于放置陶瓷盘;所述第一滚轴和第二滚轴均能够自转,且均位于所述基座的上方;所述第一滚轴上卷绕有能够粘附颗粒物的薄膜;所述第二滚轴能够在竖直方向上升降;所述第一驱动机构用于驱动第一滚轴和第二滚轴在水平方向上移动;所述固定机构位于所述基座的一侧,且低于所述基座用于放置陶瓷盘的承载面,用于将所述第一滚轴放出垂落至所述固定机构处的薄膜固定在其上;所述切割机构位于所述固定机构处,其能够将被所述固定机构固定的薄膜从所述第一滚轴上切割分离。
其中,所述陶瓷盘清洁装置还包括第二驱动机构,所述第二驱动机构与所述第一滚轴连接,用于带动所述第一滚轴自转。
其中,所述陶瓷盘清洁装置还包括安装架,所述第一滚轴和第二滚轴安装在所述安装架上;所述第一驱动机构与所述安装架连接,用于驱动所述安装架在水平方向上移动。
其中,所述第一驱动机构包括两个子驱动机构,该两个子驱动机构分别与第一滚轴和第二滚轴连接,用于分别驱动所述第一滚轴和第二滚轴在水平方向上移动。
其中,所述陶瓷盘清洁装置还包括设置在所述基座两侧的两个水平的、沿第一滚轴移动方向设置的导轨,所述第一滚轴的两端分别置于两个所述导轨内。
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