[发明专利]半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置在审
申请号: | 201910060925.8 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN110323273A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 佐藤宪一郎 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L23/34 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 齐雪娇;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体装置 半导体基板 上表面电极 温度检测部 长边 半导体电路装置 半导体封装 半导体模块 二极管部 晶体管部 外部布线 上表面 方式配置 外部电路 预先确定 电连接 俯视 检测 配置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具备半导体基板,且具备:
晶体管部,其设置于所述半导体基板;
二极管部,其设置于所述半导体基板,且在与所述半导体基板的上表面平行的排列方向上与所述晶体管部交替地配置;
温度检测部,其设置于所述半导体基板的上表面的上方,且在预先确定的长边方向具有长边;
上表面电极,其设置于所述半导体基板的上表面的上方;以及
一个以上的外部布线,其包括与所述上表面电极连接的连接部分,该一个以上的外部布线将所述上表面电极与所述半导体装置的外部电路电连接,
所述温度检测部以在所述长边方向上遍及一个以上的所述晶体管部以及一个以上的所述二极管部的方式配置,
在俯视时,至少一个所述外部布线的所述连接部分配置于所述温度检测部的周围。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述至少一个所述外部布线的所述连接部分配置于一个以上的所述晶体管部的上方以及一个以上的所述二极管部的上方。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,在将所述温度检测部的在所述长边方向上的长度作为检测部长度的情况下,在俯视时的所述至少一个所述外部布线的所述连接部分与所述温度检测部之间的距离为所述检测部长度以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述二极管部在所述排列方向上以预先确定的排列周期配置,
在俯视时,所述至少一个所述外部布线的所述连接部分与所述温度检测部之间的距离为所述排列周期的5倍以下。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
所述外部布线是导线,
多个所述外部布线与所述上表面电极连接,
对于至少2个所述外部布线,在俯视时,所述连接部分与所述温度检测部之间的距离是所述排列周期的5倍以下,
在俯视时,所述温度检测部以被所述距离为所述排列周期的5倍以下的任意两个所述连接部分夹在中间的方式配置。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述外部布线是导线,
在将俯视时的所述外部布线的所述连接部分的长边长度设为连接部长度的情况下,俯视时的所述至少一个所述外部布线的所述连接部分与所述温度检测部之间的距离是所述连接部长度以下。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述外部布线是导线,
多个所述外部布线与所述上表面电极连接,
各个所述外部布线的所述连接部分在与所述长边方向垂直的方向上以预先确定的布线间隔设置,
俯视时的所述至少一个所述外部布线的所述连接部分与所述温度检测部之间的距离为所述布线间隔以下。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述外部布线是导线,
在俯视时,至少一个所述外部布线的所述连接部分以在与所述长边方向垂直的方向上与所述温度检测部对置的方式设置。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,在俯视时,2个所述连接部分配置于所述温度检测部的周围,且沿着与所述温度检测部的长边方向平行的方向配置,
所述2个所述连接部分以分别与所述温度检测部的长边方向的一部分对置的方式配置。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置,其特征在于,在俯视时,多个所述连接部分配置于所述温度检测部的周围,
在俯视时,在与多个所述连接部分外接的矩形区域的内部配置有所述温度检测部。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述外部布线是导线,
在俯视时,与所述温度检测部的周围以外的区域相比,多个所述外部布线的所述连接部分更多地配置于所述温度检测部的周围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910060925.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件
- 下一篇:具有dV/dt可控性和低栅极电荷的IGBT
- 同类专利
- 专利分类