[发明专利]光电探测器结构在审

申请号：	201910061254.7	申请日：	2019-01-23
公开（公告）号：	CN110391303A	公开（公告）日：	2019-10-29
发明（设计）人：	赵根煐;池晧哲	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/105
代理公司：	北京铭硕知识产权代理有限公司 11286	代理人：	刘美华;尹淑梅
地址：	韩国京畿***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：
搜索关键词：	光吸收层光电探测器结构光波导基底半导体膜下表面侧表面氮化硅包围
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【说明书】：

提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，包括半导体膜；光吸收层，位于基底上，所述光吸收层与半导体膜接触并且包括锗(Ge)；第一涂层，位于基底上，所述第一涂层包围光吸收层的侧表面的至少一部分；以及光波导，位于第一涂层上，所述光波导与光吸收层接触并且包括氮化硅(SiN)，其中，光波导的下表面比光吸收层的下表面高。

于2018年4月12日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0042483号且发明名称为“光电探测器结构”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及光电探测器结构。更具体地，本公开涉及一种包括锗(Ge)光吸收层的光电探测器结构。

背景技术

光电探测器(photodetector，PD)是检测光信号(光强度)以产生电信号的装置。为了实现在特定波长段中工作的光电探测器，可以使用在硅(Si)基底上进行晶体生长锗(Ge)的方法。

发明内容

根据本公开的多个方面，提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，具有半导体膜；光吸收层，位于基底上，所述光吸收层与半导体膜接触并且包括锗(Ge)；第一涂层，位于基底上，所述第一涂层包围光吸收层的侧表面的至少一部分；以及光波导，位于第一涂层上，所述光波导与光吸收层接触并且包括氮化硅(SiN)，其中，光波导的下表面比光吸收层的下表面高。

根据本公开的多个方面，还提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，具有半导体膜；光吸收层，位于基底上，所述光吸收层与半导体膜接触并且包括锗(Ge)；涂层，位于基底和光吸收层上；以及光波导，穿过涂层并且与光吸收层接触，其中，光波导通过涂层与基底间隔开，涂层的下表面比光吸收层的下表面高或与光吸收层的下表面处于同一高度处。

根据本公开的多个方面，还提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，具有半导体膜；光吸收层，位于基底上，所述光吸收层与半导体膜接触并且包括锗(Ge)；涂层，位于基底和光吸收层上；以及光波导，穿过涂层并且与光吸收层的上表面接触，其中，光波导通过涂层与基底间隔开。

根据本公开的多个方面，还提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，具有半导体膜；光吸收层，位于半导体膜的最上表面上，所述光吸收层包括锗(Ge)；第一涂层，位于基底上，所述第一涂层覆盖光吸收层的侧表面的一部分；以及光波导，位于第一涂层上，所述光波导与光吸收层的侧表面的另一部分接触并且包括氮化硅(SiN)，其中，光波导的下表面比光吸收层的下表面高。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：

图1示出了根据一些实施例的光通信系统的示意性框图。

图2示出了根据一些实施例的光电探测器结构的布局图。

图3示出了沿着图2的线A-A'的剖视图。

图4和图5示出了沿着图2的线B-B'的各种剖视图。

图6示出了根据一些实施例的光电探测器结构的剖视图。

图7示出了根据一些实施例的光电探测器结构的剖视图。

图8示出了根据一些实施例的光电探测器结构的剖视图。

图9示出了根据一些实施例的光电探测器结构的剖视图。

图10示出了根据一些实施例的光电探测器结构的剖视图。

图11示出了根据一些实施例的光电探测器结构的剖视图。