[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：

处理室，由真空容器形成；

样品台，设置在所述处理室的内部，对被处理物进行载置；

真空排气部，具备真空泵，将所述处理室的内部排气成真空；以及

等离子体产生部，具备电源，在所述处理室的内部产生等离子体，

该等离子体处理装置的特征在于，所述样品台具备：

第1金属制的基材，在内部形成有冷媒的流路；

第2金属制的基材，处于所述第1金属制的基材的上部且热传导率比所述第1金属制的基材小；

绝缘膜层，由将所述第2金属制的基材的表面覆盖的绝缘构件形成且在内部形成电极，利用静电力吸附载置在上表面的所述被处理物；以及

多个升降销钉，在停止了所述静电力作用下的吸附的状态下，使所述被处理物相对于所述绝缘膜层的上表面上下地移动，

在所述第1金属制的基材、所述第2金属制的基材和所述绝缘膜层形成穿过多个所述升降销钉的多个贯通孔，在多个所述贯通孔各自的内部，使所述升降销钉和所述第1金属制的基材以及所述第2金属制的基材电绝缘，并且将由热传导率比所述第2金属制的基材大的绝缘构件形成的凸台插入。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

使得在插入了所述凸台的状态下该凸台的外侧壁面和形成于所述第2金属制的基材的所述贯通孔的内侧壁面的间隙比所述凸台的外侧壁面和形成于所述第1金属制的基材的所述贯通孔的内侧壁面的间隙大，将第1粘接剂夹在所述凸台的外侧壁面和所述第1金属制的基材的内侧壁面的间隙中而将所述凸台的外侧壁面和所述第1金属制的基材的内侧壁面连接。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第1粘接剂的热传导率比所述第2金属制的基材的热传导率大。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第1粘接剂的刚性比所述第2金属制的基材的刚性小。

5.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

将第2粘接剂夹在所述凸台的外侧壁面和形成于所述第2金属制的基材的所述贯通孔的内侧壁面的间隙中而将所述凸台的外侧壁面和所述第2金属制的基材连接，具备将所述凸台的外侧壁面和所述第2金属制的基材之间的间隙与所述第1金属制的基材的外部连通的连通路。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述凸台具有内侧和外侧这两层，所述内侧的层由绝缘性比所述外侧的层高且热传导率比所述外侧的层低的材料形成。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第2金属制的基材以钛或者钛合金为材料来形成，所述第1金属制的基材以铝或者铝合金为材料来形成。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述凸台以氮化铝为材料来形成。