[发明专利]一种OLED阳极材料处理方法和装置及OLED结构

权利要求书

1.一种OLED阳极材料处理方法，其特征在于，所述方法包括：

进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；

通过具有反应元素的气体对所述OLED基板的铝薄膜进行表面处理，生成具有隔离氧扩散作用的铝化合物层；所述反应元素包括氧；所述具有反应元素的气体包括氧气；通过ITO腔室，通入指定流量的氧气，对所述OLED基板的铝薄膜进行富氧处理，生成三氧化二铝层，以隔离铝薄膜与ITO薄膜，避免ITO薄膜中的氧对铝箔膜进行氧化；

所述通入指定流量的氧气，对所述OLED基板的铝薄膜进行富氧处理，包括：通入流量为20sccm氧气，腔室压力为0.1-100mTorr，加载直流功率或射频功率，加载时间为1秒-300秒，功率为10W-10KW，形成的氧等离子体对所述铝薄膜进行富氧处理；

在生成的所述铝化合物层上进行ITO薄膜沉积。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有反应元素的气体还包括：臭氧或水汽。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板，包括：通过铝腔室，通入氩气，腔室压力为0.1-100mTorr，加载直流功率100W-40KW，进行铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在生成的所述铝化合物层上进行ITO薄膜沉积，包括：通过ITO腔室，通入氩气和氧气，腔室压力为0.1-100mTorr，加载直流功率50W-10KW，进行ITO薄膜沉积。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加载直流功率或射频功率的加载时间为10秒，功率为500W。

6.一种OLED结构，包括OLED基板和阳极材料，其特征在于，所述阳极材料经过权利要求1-5的任一所述的阳极材料处理方法处理，所述阳极材料包括依次层叠设置的铝薄膜、铝化合物层和ITO薄膜；所述铝薄膜覆盖在所述OLED基板上。

7.一种OLED阳极材料处理装置，所述装置应用权利要求1-5中任一所述的阳极材料处理方法，其特征在于，所述装置包括：铝腔室和ITO腔室；所述铝腔室，用于进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；所述ITO腔室，用于通过具有反应元素的气体对所述OLED基板的铝薄膜进行表面处理，生成具有隔离氧扩散作用的铝化合物层；并且，在生成的所述铝化合物层上进行ITO薄膜沉积。