[发明专利]一种多波长激光器的制备方法

权利要求书

1.一种多波长激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)将GaAs衬底放入MOCVD设备的生长室内，在H₂环境下升温到750±20℃烘烤，烘烤时通入AsH₃，去除GaAs衬底表面水氧，完成GaAs衬底表面热处理；

b)将MOCVD设备的生长室内温度降低至700±20℃，通入TMGa和AsH₃，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；

c)将MOCVD设备的生长室内温度升至750±20℃，通入TMGa、TMAl和AsH₃，在GaAs缓冲层上生长n型Al_xGa_1-xAs下限制层；

d)将MOCVD设备的生长室内温度降低至700±20℃，通入TMGa、TMAl和AsH₃，在n型Al_xGa_1-xAs下限制层上生长Al_xGa_1-xAs下波导层；

e)保持MOCVD设备的生长室内温度为700±20℃，通入TMIn，在Al_xGa_1-xAs下波导层上生长AlGaInAs第一量子阱发光区；

f)将MOCVD设备的生长室内温度降低至500±50℃，在AlGaInAs第一量子阱发光区上生长N型GaAs帽层；

g)将制备的外延片从MOCVD设备的生长室内取出，将N型GaAs帽层腐蚀掉；

h)将外延片放入PECVD设备中在AlGaInAs第一量子阱发光区上蒸镀材料为AlGaAs或AlGaInP的无应力波导层；

i)将外延片从PECVD设备中取出后放入MOCVD设备的生长室内，在通入AsH₃、PH₃升温至700±20℃进行保护；

j)将MOCVD设备的生长室内温度保持700±20℃，停止通入TMGa、TMAl和AsH₃，通入PH₃n秒后通入TMGa，在无应力波导层上生长GaAsP第二量子阱发光区；

k)将MOCVD设备的生长室内温度保持700±20℃，停止通入PH₃m秒后通入TMGa、TMAl和AsH₃，在GaAsP第二量子阱发光区上生长AlGaAs波导层；

l)将MOCVD设备的生长室内温度提升至750±20℃，继续通入TMGa、TMAl和AsH₃，在AlGaAs波导层上生长n型Al_xGa_1-xAs上限制层；

m)将MOCVD设备的生长室内温度降低至500±50℃，在n型Al_xGa_1-xAs上限制层上生长p型GaAs帽层。

2.根据权利要求1所述的多波长激光器的制备方法，其特征在于：步骤a)中烘烤时间为30分钟。

3.根据权利要求1所述的多波长激光器的制备方法，其特征在于：步骤b)中GaAs缓冲层的厚度为100-500nm，生长GaAs缓冲层时MOCVD设备的生长室内的掺杂浓度为1E17-5E18个原子/cm³。

4.根据权利要求1所述的多波长激光器的制备方法，其特征在于：步骤c)中n型Al_xGa_1-xAs下限制层中x为0.1-0.9，n型Al_xGa_1-xAs下限制层的厚度为100-500nm，生长n型Al_xGa_1-xAs下限制层时MOCVD设备的生长室内的掺杂浓度为4E17-5E19个原子/cm³。