[发明专利]一种基于SenseFET的压控采样器件有效
| 申请号： | 201910062554.7 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109768089B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sensefet 采样 器件 | ||
1.一种基于SenseFET的压控采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底(1)、第一导电类型半导体衬底(1)右侧上表面的第一第一导电类型半导体掺杂区(3)、位于第一导电类型半导体衬底(1)上表面第一第一导电类型半导体掺杂区(3)左侧的第二导电类型半导体漂移区(2)；所述第一第一导电类型半导体掺杂区(3)上表面具有衬底金属电极(18)；所述第二导电类型半导体漂移区(2)上表面从左往右依次设置第二导电类型半导体漏区(4)、第二第一导电类型半导体掺杂区(5)、第三第一导电类型半导体掺杂区(6)、和第二导电类型半导体掺杂区(10)；所述第三第一导电类型半导体掺杂区(6)中具有第一导电类型半导体表面重掺杂区(7)；所述第二第一导电类型半导体掺杂区(5)上表面具有氧化层(19)；所述氧化层(19)中具有第一多晶硅(11)和第二多晶硅(12)构成的场板结构；所述第二导电类型半导体漏区(4)上表面和第一多晶硅(11)之间具有漏极金属(20)连接；所述第一导电类型半导体表面重掺杂区(7)上表面和第二多晶硅(12)之间具有栅极金属(13)连接；其特征在于：所述第二导电类型半导体漂移区(2)上表面设有第一个第一导电类型半导体采样电压控制区(8)和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区(9)，第一个第一导电类型半导体采样电压控制区(8)和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区(9)位于第三第一导电类型半导体掺杂区(6)的右侧、第二导电类型半导体掺杂区(10)的左侧，所述第一个第一导电类型半导体采样电压控制区(8)上表面具有第一金属电极(14)；所述第二个第一导电类型半导体采样电压控制区(9)上表面具有第三金属电极(16)；所述第二导电类型半导体漂移区(2)上表面第一个第一导电类型半导体采样电压控制区(8)和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区(9)之间具有第二金属电极(15)，第二导电类型半导体掺杂区(10)上表面具有电流感测电极(17)。
2.根据权利要求1所述的一种基于SenseFET的压控采样器件，其特征在于：第一导电类型半导体为P型半导体，第二导电类型半导体为N型半导体。
3.根据权利要求1所述的一种基于SenseFET的压控采样器件，其特征在于：第一导电类型半导体为N型半导体，第二导电类型半导体为P型半导体。
4.根据权利要求1所述的一种基于SenseFET的压控采样器件，其特征在于：第一导电类型半导体或第二导电类型半导体为单晶硅、碳化硅或者氮化镓。
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