[发明专利]一种基于LIGBT的栅控型采样器件有效
| 申请号： | 201910062575.9 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109786450B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ligbt 栅控型 采样 器件 | ||
1.一种基于LIGBT的栅控型采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底(1)和位于第一导电类型半导体衬底(1)下表面的衬底金属电极(19)；所述第一导电类型半导体衬底(1)上表面具有外延氧化层(2)；所述外延氧化层(2)上表面具有第二导电类型半导体漂移区(3)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中具有漂移区第二导电类型半导体掺杂区(4)；所述漂移区第二导电类型半导体掺杂区(4)中具有第一导电类型半导体阳极区(5)，所述第一导电类型半导体阳极区(5)上表面具有第二金属电极(11)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中具有第一第一导电类型半导体体区(13)；所述第一第一导电类型半导体体区(13)上表面具有氧化层(12)；所述氧化层(12)中具有金属栅极(14)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中右侧具有第二第一导电类型半导体体区(18)；其特征在于：所述第二第一导电类型半导体体区(18)中具有第二导电类型半导体阴极区(6)，第二导电类型半导体阴极区(6)的右侧设置第一导电类型半导体阴极区(9)，第一导电类型半导体阴极区(9)的右侧依次设置第一个体区第二导电类型半导体掺杂区(7)、与第一个体区第二导电类型半导体掺杂区(7)紧邻的第一导电类型半导体掺杂区(8)、和第一导电类型半导体掺杂区(8)紧邻的第二个体区第二导电类型半导体掺杂区(7)；所述第二导电类型半导体阴极区(6)和第一导电类型半导体阴极区(9)上表面具有第三金属电极(15)；所述第一个体区第二导电类型半导体掺杂区(7)上表面具有第四金属电极(16)；所述第一导电类型半导体掺杂区(8)上表面具有第一金属电极(10)。
2.根据权利要求1所述的一种基于LIGBT的栅控型采样器件，其特征在于：第一导电类型半导体为P型半导体，第二导电类型半导体为N型半导体。
3.根据权利要求1所述的一种基于LIGBT的栅控型采样器件，其特征在于：第一导电类型半导体为N型半导体，第二导电类型半导体为P型半导体。
4.根据权利要求1所述的一种基于LIGBT的栅控型采样器件，其特征在于：第一导电类型半导体或第二导电类型半导体为单晶硅、碳化硅或者氮化镓。
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