[发明专利]制作像素阵列的方法

权利要求书

1.一种制作像素阵列的方法，包括：

提供半导体材料，所述半导体材料具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；

蚀刻出至少两个第一沟槽结构及至少一个第二沟槽结构，其中所有所述沟槽均具有相同的几何结构且均从所述半导体材料的所述第一侧朝所述半导体材料的所述第二侧延伸；

加宽所述第二沟槽结构，以形成与所述半导体材料的所述第一侧邻近的浅的部分以及设置在所述浅的部分与所述半导体材料的所述第二侧之间的深的部分；

在所述第二沟槽结构的所述深的部分及所述浅的部分内以及在所述两个第一沟槽结构内沉积介电材料；

在所述第二沟槽结构的所述浅的部分的区内沉积金属，使得所述浅的部分内的所述介电材料设置在所述金属与所述半导体材料之间；

在所述半导体材料中设置第一组合像素，所述第一组合像素在所述半导体材料的所述第一侧与所述第二侧之间，其中所述第一组合像素包括被配置成接收第一波长的光的至少两个相邻的第一感光组件，且其中所述第一沟槽结构中的一者设置在所述两个相邻的第一感光组件之间；

在所述半导体材料中设置第二组合像素，所述第二组合像素在所述半导体材料的所述第一侧与所述第二侧之间，其中所述第二组合像素包括被配置成接收第二波长的光的至少两个相邻的第二感光组件，其中所述第一沟槽结构中的另一者设置在所述两个相邻的第二感光组件之间；以及

其中所述第一组合像素相邻于所述第二组合像素，且所述第二沟槽结构设置在所述第一组合像素与所述第二组合像素之间，

其中所述第一波长与所述第二波长不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二沟槽结构的所述浅的部分从所述半导体材料的所述第一侧朝所述半导体材料的所述第二侧渐缩，使得所述第二沟槽结构的与所述半导体材料的所述第一侧邻近的所述浅的部分的宽度大于所述第二沟槽结构的与所述半导体材料的所述第二侧邻近的所述深的部分的宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中沉积在所述第二沟槽结构的所述浅的部分内的所述金属的至少一部分比所述第二沟槽结构的所述深的部分宽。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属从所述半导体材料的所述第一侧朝所述第二沟槽结构的所述深的部分渐缩，使得离轴入射光的光线穿过所述半导体材料的所述第一侧传播并被所述金属朝所述第一感光组件及所述第二感光组件中的一者反射。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电材料是负电荷介电材料中的一种或者正电荷介电材料中的一种。