[发明专利]一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器，其特征在于：所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。

2.如权利要求1所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器，其特征在于：所述底电极包括：氟掺杂二氧化锡导电玻璃或氧化铟锡导电玻璃。

3.如权利要求1或2所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器，其特征在于：所述顶电极为惰性电极。

4.如权利要求3所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器，其特征在于：所述惰性电极为Au、Ag或Pt电极。

5.如权利要求1所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器，其特征在于：所述顶电极的厚度为100-300nm。

6.一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

制备MoS₂：清洗导电玻璃底电极，备用；将钼酸钠与硫代乙酰胺溶于去离子水中并搅拌至完全溶解；然后将得到的混合液与底电极进行水热反应，反应结束后取出底电极，用乙醇清洗干净并置于空气中自然干燥，得到覆有MoS₂薄膜的底电极；

制备ZnS：将醋酸锌在连续搅拌条件下充分溶于去离子水中，备用；将硫化钠充分溶于去离子水中，备用；将上述两种溶液混合后进行水热反应，对得到的沉淀物经超声离心后烘干，得到ZnS粉末；

（1）将得到的ZnS粉末溶于有机溶剂中，并将得到的溶液旋涂在覆有MoS₂薄膜的底电极的MoS₂薄膜上，得到涂覆在底电极上的MoS₂/ZnS双层功能层；

（2）对所述MoS₂/ZnS双层功能层进行退火处理；

（3）将顶电极制备到所述退火后的MoS₂/ZnS双层功能层上，即得二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器。

7.如权利要求6所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤中，所述清洗导电玻璃的方法为：将导电玻璃依次放于乙醇、丙酮、去离子水中，分别超声清洗10min。

8.如权利要求6所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：所述底电极包括：氟掺杂二氧化锡导电玻璃、氧化铟锡导电玻璃。

9.如权利要求6所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：所述钼酸钠、硫代乙酰胺、去离子水的质量比为1-2.5：3-5：1.5-2.5。

10.如权利要求6所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：所述制备MoS₂时，水热反应的条件为：在100-250℃之间反应5-15h。

11.如权利要求6所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：所述醋酸锌的浓度为0.2-0.8 M，所述硫化钠的浓度为0.5-1.2 M。

12.如权利要求6所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：所述醋酸锌和硫化钠的体积添加比例相同。

13.如权利要求6所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：所述制备ZnS时，水热反应的条件为：在100-250℃之间反应5-15h。

14.如权利要求6所述的二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述有机溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮。