[发明专利]一种半导体材料制备设备

说明书

本发明涉及一种半导体材料制备设备，基架传送系统、溶胶系统、旋涂系统、烧结系统、测试系统，基架传送系统、旋涂系统设置在同一水平面上，溶胶系统固定设置在基架传送系统上方，烧结系统、测试系统设置在基架传送系统内侧不同高度上，基架传送系统依次穿过烧结系统以及测试系统；本发明具备自动化作业的功能；置有三层立式结构，可有效的减少设备的占地面积，增加设备的使用范围；可制备复合半导体薄膜，进一步加强了该发明的科研用途，同时可进行薄膜的电磁性能测试；在样品制备中进行了多次混料，可将胶体充分均匀化。

技术领域

本发明涉及一种材料制备装置，具体涉及一种半导体材料制备设备。

背景技术

目前，掺杂型钙钛矿锰氧化物La_1-xA_xMnO₃(A＝Ca，Ba，Sr)半导体具有特殊的电子输运和磁学性质，而受到了大量的关注，广泛地应用于光电快速器件、磁敏传感器、自旋阀器件和超巨磁阻测辐射热仪等器件中。目前的旋涂法生产镧钙锰氧薄膜组要通过人工进行，存在着实验仪器复杂，需要的设备众多占地面积大，人工操作容易引入杂质以及实验手法区别造成的难以控制变量等问题，因此需要提出一种具备自动化作业、节约空间，同时更便于为科研、控制变量服务的一种一种半导体材料制备设备。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种具备自动化处理、可测试薄膜性能的一种半导体材料制备设备。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种半导体材料制备设备，包括基架传送系统、溶胶系统、旋涂系统、烧结系统、测试系统，基架传送系统、旋涂系统设置在同一水平面上，溶胶系统固定设置在基架传送系统上方，烧结系统、测试系统设置在基架传送系统内侧不同高度上，基架传送系统依次穿过烧结系统以及测试系统；

基架传送系统包括支撑柱、轨道、凸槽、凹槽一、控制轴、轨道挡板、顶板、取料机、转板、电机、图像传感器、夹持板、送料车、车体、凹槽二、滚轮、液压杆、夹板；支撑柱设置在基架传送系统中心，轨道嵌套连接于支撑柱外侧，凸槽设置于轨道内侧中部，凹槽一设置于凸槽下方，控制轴设置于轨道上方轨道交叉处，轨道挡板固定连接于控制轴外侧，顶板连接于支撑柱的上方，取料机连接于轨道一侧末端，取料机内设置有转板，电机两端穿过转板与夹持板嵌套连接，送料车内设置有车体，凹槽二设置于车体中部且与凸槽相互配合，滚轮设置于凸槽下方且与凹槽一相互配合，液压杆设置于车体内侧，夹板连接于液压杆末端；

溶胶系统包括水浴锅、测温杆、混胶器、转轴一、扇叶一、导胶管一、第一控制阀门、原料槽、反应器、转轴二、绞龙、顶杆、封装盘、分料槽、导料管、混料器、第二控制阀门、转轴三、浮标、扇叶二、刻度线、增压器、导胶管二、导胶管三、出胶管，水浴锅固定连接于顶板上方，测温杆连接于原料槽下方且下端延伸在水浴锅上方，混胶器设置于水浴锅上方，转轴一设置于混胶器内部，扇叶一固定连接于转轴一外侧，反应器与混胶器通过导胶管一连接，第一控制阀门设置于导胶管一外侧，原料槽设置于混胶器上方，反应器固定连接于原料槽上方，混料器设置于原料槽上方，混料器与反应器通过导料管连接，刻度线设置于混料器外侧，增压器设置于原料槽外侧，增压器与混胶器通过导胶管二连接，导胶管三连接于增压器外侧，出胶管连接于导胶管三末端；

旋涂系统包括增稠罐、粘度计、旋叶、连接管、冷却罐、导胶管四、升降台、顶盖、滴胶口、温度传感器、密封罐、旋涂转盘、支撑底座、真空泵管、真空阀门、真空泵、导气管、气罐，增稠罐分别连接于出胶管下方，增稠罐内部设置有粘度计以及旋叶，粘度计设置于旋叶上方，连接管连接于增稠罐下方，冷却罐连接于连接管下方，升降台设置于冷却罐下方，升降台与冷却罐通过导胶管四连接，顶盖均匀设置于升降台外侧，滴胶口连接于顶盖下方并与导胶管四相连接，温度传感器连接于顶盖下方，密封罐设置于顶盖下方，旋涂转盘设置于密封罐内部，支撑底座设置于密封罐下方，真空泵管设置于支撑底座下方，并与密封罐相连接，真空阀门设置于真空泵管外侧，真空泵设置于地面上并与真空泵管相连，旋涂转盘下方与真空泵管相连，气罐设置于真空泵上方，气罐与密封罐通过导气管相连；