[发明专利]全周期检波器

权利要求书

1.一种全周期检波器，其特征在于：包括检波管（16）和检波天线结构（17），所述检波管（16）包括两个检波肖特基二极管（1），其中的一个所述检波肖特基二极管（1）的阳极与另一个所述检波肖特基二极管（1）的阴极连接，两个所述肖特基二极管的结点为所述检波管（16）的一个接线端，两个所述肖特基二极管的自由端为所述检波管（16）的另外两个接线端；所述检波天线结构（17）包括天线基板（18），所述天线基板（18）上设置有与所述检波管（16）上的接线端相对应的三个天线PAD（19），位于前侧的天线PAD（19）与连接两个所述检波肖特基二极管的公共接线端进行焊接，位于后侧的两个天线PAD（19）分别与连接两个所述检波肖特基二极管的自由端的接线端进行焊接，将所述检波管（16）倒装到所述检波天线结构上；

所述检波管包括位于衬底（2）上的第一金属电极组件（3）、第二金属电极组件（4）和第三金属电极组件（5），所述第一金属电极组件（3）为两个所述肖特基二极管的结点，所述第二金属电极组件（4）和第三金属电极组件（5）分别为所述检波管的其余两个接线端，第二金属电极组件（4）与第三金属电极组件（5）之间通过隔离槽（6）进行隔离，第一金属电极组件（3）与第二金属电极组件（4）以及第三金属电极组件（5）之间分别通过空气桥（7）进行连接。

2.如权利要求1所述的全周期检波器，其特征在于：位于前侧的天线PAD（19）通过金丝跳线（20）与位于天线基板（18）前侧的连接电极（21）连接，位于后侧的两个天线PAD（19）之间具有间隙，所述间隙与所述检波管（16）上的隔离槽（6）相适配，位于后侧的一个所述天线PAD（19）通过金丝跳线（20）与位于天线基板（18）后侧的连接电极连接，位于后侧且不具有金丝跳线的天线PAD（19）以及两个所述连接电极（21）分别与一条电极引线（22）连接。

3.如权利要求1所述的全周期检波器，其特征在于：所述第一金属电极组件（3）、第二金属电极组件（4）以及第三金属电极组件（5）包括从下到上设置的重掺杂 GaAs 层（8）、低掺杂InGaAs层（9）、第一二氧化硅层（10）和金属电极层（11），金属电极层（11）上表面的高度大于第一二氧化硅层（10）上表面的高度， 第一肖特基接触金属层（12）分别内嵌于所述第一金属电极组件（3）以及第三金属电极组件（5）的第一二氧化硅层（10）内，且第一肖特基接触金属层（12）与低掺杂InGaAs层（9）相接触，所述第二金属电极组件（4）上的金属电极层（11）与所述第一金属电极组件（3）上的第一肖特基接触金属层（12）之间通过空气桥（7）进行连接，所述第一金属电极组件（3）上的金属电极层（11）与所述第三金属电极组件（5）上的第一肖特基接触金属层（12）之间通过空气桥（7）进行连接。

4.如权利要求3所述的全周期检波器，其特征在于：所述第一金属电极组件（3）、第二金属电极组件（4）和第三金属电极组件（5）中重掺杂 GaAs 层（8）的四周设置有钝化层（13），所述钝化层（13）的高度低于所述重掺杂 GaAs 层（8）的高度。

5.如权利要求3所述的全周期检波器，其特征在于：所述金属电极层（11）包括位于下层的欧姆接触层（14）和位于上层的金属加厚层（15）。

6.如权利要求3所述的全周期检波器，其特征在于：所述衬底（2）为半绝缘层GaAs衬底。

7.如权利要求3所述的全周期检波器，其特征在于：所述重掺杂 GaAs 层（8）的厚度为2微米，掺杂浓度为5e18cm^-3。

8.如权利要求3所述的全周期检波器，其特征在于：所述低掺杂InGaAs层（9）的厚度为100nm，掺杂浓度为5e17cm^-3。

9.如权利要求3所述的全周期检波器，其特征在于：所述第一肖特基接触金属层（12）采用钛/铂/金合金体系制作；欧姆接触层（14）采用钛/金/锗/镍/金系统的合金制。